Präparation und Charakterisierung ultradünner Polyacenfilme auf Metalloberflächen

Das Wachstum von Polyacenen wurde mit STM, LEED, NEXAFS und XPS untersucht. Die Präparation der Filme erfolgte mit organischer Molekularstrahlepitaxie . Die anisotropen (110)-Oberflächen von Kupfer, Silber und Gold verhindern das Auftreten von Rotationsdomänen und weisen so hochgeordnete Acen-Monolagen auf, die als Keimschicht für das weitere Wachstum dienen. Während die Moleküle der Monolage mit ihrer Ebene parallel zur Oberfläche orientiert sind, erfolgt bei Schichtdicken von ca. 2 nm eine Reorientierung der Moleküle, sodass das weitere Wachstum mit fast senkrecht stehenden Molekülen erfolgt. Weiterhin wurde die elektronische Kopplung von Pentacen mit Metallsubstraten mit UPS untersucht. Die Injektionsbarrieren von Elektronen und Löchern in den organischen Film wurden für die Grenzflächen mit Kupfer, Silber, Gold und Cäsium bestimmt. Die niedrigste Injektionsbarriere für Löcher wurde für Gold ermittelt (0.45 eV), während für Elektronen Cäsium den niedrigsten Wert aufwies (0.3 eV).The growth of polyacenes deposited by organic molecular beam epitaxy onto single crystal metal surfaces was investigated with STM, LEED, NEXAFS and XPS. Anisotropic fcc(110) surfaces were found to suppress the formation of rotational domains in the monolayers and thus provide well ordered seed layers for further growth of pentacene. While the molecules adopt a flat lying configuration in the monolayers a reorientation of the molecules takes places at thicknesses of about 2 nm and the subsequent growth proceeds with molecules oriented almost perpendicular to the surface. Furthermore the electronic coupling of pentacene with various metal substrates was explored by UPS. The injection barriers of electrons and holes into the organic films were determined for interfaces with copper, silver, gold and cesium. The lowest injection barrier for holes was obtained for gold (0.45 eV) whereas for electrons cesium revealed the lowest barrier (0.3 eV)