Die vorliegende Arbeit liefert einen Beitrag zur Weiterentwicklung und Optimierung schneller integrierter Schaltungen für fasergestützte Breitbandkommunikationssysteme. Im Mittelpunkt stehen dabei Schaltungstechniken für die Übertragung binärer und quaternärer Signale, die nach dem elektronischen Zeitmultiplexverfahren bei Datenraten von bis zu 40 Gbits/s übertragen werden. Alle Entwürfe basieren auf einer Silizium-Germanium-Bipolartechnologie und werden von der Konzeptphase über den Entwurf und die Optimierung bis hin zur Charakterisierung der Prototypen diskutiert. Die Prototypen wurden in einer kommerziellen SiGe-Technologie hergestellt, in der ein Silizium-Germanium-Drifttransistor mit einer Transitfrequenz von 47 GHz zur Verfügung stan...
In der Arbeit wird der Einfluß von Substratkopplungen auf die Eigenschaften von schnellen Bipolarsch...
Available from TIB Hannover: DtF QN1(88,20) / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Techn...
Das Datenaufkommen pro Glasfaser im Weitverkehrsbereich wird auf mindestens 50 Tbit/s bis 100 Tbit/s...
Die Spezifikationen und Toleranzbereiche heutiger Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungstechnologien ...
Mit überzeugenden Lösungen für Schlüsselkomponenten der Mobilkommunikation und Höchstfrequenzsensori...
Durch die Entwicklung von CMOS-Kurzkanaltechnologien sind integrierte MOS-Hochfrequenzschaltungen re...
Die Kombination der Bipolar- und der CMOS-Schaltungstechnik auf einem Chip eröffnet dem Schaltungsen...
SIGLEAvailable from TIB Hannover: F01B1748 / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Techni...
Die gemischte Bipolar-CMOS-Technologie (BICMOS) stellt eine Weiterentwicklung der CMOS-Technologie d...
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der mikroelektronischen Realisierung von Leitfähigkeitss...
Im Mittelpunkt der Arbeit steht die Entwicklung von Transimpedanzverstärkern für Empfänger in optisc...
Einer der größten Fortschritte der letzten Jahre auf dem Gebiet der Hörgerätetechnik ist die Möglich...
Die Entwicklung der Mobilfunkkommunikation entwickelt sich zur Übermittlung immer höherer Datenraten...
Bei Hochgeschwindigkeits-Bildsensoren spielte die Frage des schnellen und verlustleistungsarmen Ausl...
Die Signalverarbeitung bildet zum einen das Bindeglied zwischen Sensoren und Aktoren eines Mikrosste...
In der Arbeit wird der Einfluß von Substratkopplungen auf die Eigenschaften von schnellen Bipolarsch...
Available from TIB Hannover: DtF QN1(88,20) / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Techn...
Das Datenaufkommen pro Glasfaser im Weitverkehrsbereich wird auf mindestens 50 Tbit/s bis 100 Tbit/s...
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Mit überzeugenden Lösungen für Schlüsselkomponenten der Mobilkommunikation und Höchstfrequenzsensori...
Durch die Entwicklung von CMOS-Kurzkanaltechnologien sind integrierte MOS-Hochfrequenzschaltungen re...
Die Kombination der Bipolar- und der CMOS-Schaltungstechnik auf einem Chip eröffnet dem Schaltungsen...
SIGLEAvailable from TIB Hannover: F01B1748 / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Techni...
Die gemischte Bipolar-CMOS-Technologie (BICMOS) stellt eine Weiterentwicklung der CMOS-Technologie d...
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der mikroelektronischen Realisierung von Leitfähigkeitss...
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Die Signalverarbeitung bildet zum einen das Bindeglied zwischen Sensoren und Aktoren eines Mikrosste...
In der Arbeit wird der Einfluß von Substratkopplungen auf die Eigenschaften von schnellen Bipolarsch...
Available from TIB Hannover: DtF QN1(88,20) / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Techn...
Das Datenaufkommen pro Glasfaser im Weitverkehrsbereich wird auf mindestens 50 Tbit/s bis 100 Tbit/s...