SINTESIS ZnO NANORODS UNTUK APLIKASI ANTI-REFLEKSI PADA LAPIS TIPIS GaAs

Telah dilakukan sintesis ZnO nanorods agen anti-refleksi pada lapis tipis GaAs. Material ZnO nanorods disintesis dari prekursor Zn(NO3)2·4H2O dengan penambahan surfaktan Cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) rasio 1:0, 1:1, 1:2, dan 1:3 (w/w) menggunakan metode hidrotermal pada suhu 180 °C selama 24 jam. Material ZnO nanorods dikarakterisasi dengan X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), Transmission Electron Microscopy (TEM), Surface Area Analyzer (SAA), dan Spektrofotometer UV-Vis. Adanya penambahan surfaktan CTAB dan variasi suhu kalsinasi berpengaruh terhadap meningkatnya ukuran kristal. Morfologi material ZnO menunjukkan terbentuknya material nanorods dengan peningkatan penambahan CTAB dan peningkatan suhu kalsinasi. Meningkatnya ukuran kristal dan terbentuknya nanorods meningkatkan sifat optik yaitu menurunkan pantulan cahaya (reflektansi) dan meningkatkan cahaya yang diteruskan (transmitansi). Celah pita (band gap) material ZnO nanorods pada rasio prekursor Zn(NO3)2·4H2O:CTAB= 1:3 (w/w) suhu kalsinasi 700 °C sebesar 2,6 eV. Absorbansi pada daerah ultraviolet 310-330 nm mengindikasikan bahwa ZnO tidak menyerap cahaya tampak (visible). Evaluasi kinerja agen anti-refleksi pada lapis tipis GaAs meningkat ditunjukkan dengan hasil reflektansi yang lebih rendah dibanding tanpa adanya pelapisan anti-refleksi ZnO nanorods