Investigation of the effect of Ta doping on stoichiometry and transport properties of Bi2Se3

Byla připravena řada monokrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3, kde x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 a 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakcí a měřením teplotních závislostí elektrické vodivosti, Hallova koeficientu RH a Seebeckova koeficientu v oblasti teplot 100 - 470 K. Z naměřených dat byl vypočten výkonový faktor PF = ... Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu - volných elektronů. Tento efekt je vysvětlen modelem bodových poruch v krystalové struktuře Bi2-xTaxSe3.Single crystalline Bi2-xTaxSe3 system, where x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 and 0,03 was prepared. The samples were characterized by X-ray diffraction and electrical conductivity, Hall coefficient RH and Seebeck coefficient were measured over a temperature range of 100 - 470 K. Power factor PF = ... was calculated from measured data. Doping with tantalum atoms into structure Bi2Se3 led to increase in the concentration of free carriers - free electrons. This effect was explained by the model of point defects in the Bi2-xTaxSe3 crystal structure.Fakulta chemicko-technologickáDiplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: Diskutujte možnost použití Bridgmanovy metody pro přípravu monokrystalu. V jaké formě byl použit tantal při syntéze? Diskutujte změnu oxidačních stavů při syntéze. Vysvětlete Sebeckův jev/koeficient.Dokončená práce s úspěšnou obhajobo