Etude multi-échelle de la transition métal-isolant de films minces du composé V2O3

Vanadium oxide V2O3, which is the prototype of strongly correlated electron systems, is isostructural to corundum α-Al2O3 and has a metallic paramagnetic phase at room temperature. Below 150K, a first-order metal-to-insulator transition is observed, and associated to a magnetic and structural transition. The objective of this thesis consists to grow and to characterize the structural and physical properties of V2O3 thin films, prepared by the pulsed laser deposition technique, on sapphire substrates (0001-Al2O3). The influence of the strains induced by the substrate and the thickness, upon the properties, was particularly studied. To achieve this goal, a multiscale study of the structure and the electronic transport properties was carried out. While preserving the R-3c structure of the bulk compound, it appears that the strains modify strongly the electrical behaviour of V2O3. The results highlight a surprising evolution with a critical thickness of 220Å. Consequently, the incompressible thick films are metallic on the whole range of temperature and the metal-to-insulator transition observed in bulk material is suppressed. On contrary, the very thin films exhibit a metal-to-insulator transition below 150K, as seen in the bulk. Using measurements on microbridges, we shown that a mesoscopic phase separation, can be used to explain the origin of the macroscopic evolution of the resistivity, and also its qualitative thickness-dependence.L'oxyde de vanadium V2O3, qui est le prototype des systèmes fortement corrélés, isostructural du corindon α-Al2O3, possède une phase métallique paramagnétique à la température ambiante. En dessous de 150K, une transition métal-isolant du premier ordre est observée et, est associée à une transition magnétique et structurale. L'objectif de ce travail de thèse consiste à synthétiser et à caractériser du point de vue structural et physique des films minces du composé V2O3, déposés par ablation laser pulsé, sur des substrats de saphir (0001-Al2O3). L'influence de la contrainte induite par le substrat et l'épaisseur, sur les propriétés du matériau a été particulièrement étudiée. Pour cela, une étude multi-échelle de la structure et des propriétés de transport électronique a été réalisée. Tout en conservant la structure R-3c du composé massif, il apparaît que les contraintes modifient fortement le comportement électrique de V2O3. Les résultats mettent en évidence une évolution surprenante autour de l'épaisseur critique 220Å. Ainsi, les films épais incompressibles, sont métalliques sur toute la gamme de température et la transition métal-isolant du composé massif est supprimée. En revanche, les films fins présentent une transition métal-isolant, comme le composé massif, en dessous de 150K. Grâce à des mesures sur des microponts, nous avons montré qu'une séparation de phases mésoscopiques permet d'expliquer l'origine de l'évolution macroscopique de la résistivité, ainsi que de la dépendance qualitative en épaisseur