Les travaux de thèse portent sur la conception et la réalisation d'un circuit intégré de commande rapprochée générique pour les transistors à grille isolée comme les MOSFETs et les IGBTs dans les structures de conversion d'énergie de l'électronique de puissance. L'objectif principal est de concevoir un système de commande simple à mettre en oeuvre, compact et configurable pouvant servir un panel varié d'applications dites multi-transistors. Le mémoire de thèse se structure en quatre chapitres : état de l'art de la commande rapprochée des transistors à grille isolée, présentation et validation d'une nouvelle topologie de commande rapprochée à base de transformateur d'impulsion, présentation et validation d'une version améliorée pour travaill...
Ce travail de thèse s inscrit dans la démarche engagée depuis quelques années et concernant l intégr...
Opisan je princip rada i specifičnosti upravljanja SiC MOSFET poluvodičkim sklopkama te njihove pred...
National audienceThis article deals with advanced gate drivers for MOSFET and IGBT power electronics...
The thesis work focuses on the design and the implementation of a generic integrated gate driver cir...
Ces travaux de thèse s’inscrivent dans le cadre d’une collaboration entre les laboratoires G2ELAB et...
L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a pris une part importante dans les applications de l'éle...
Les semi-conducteurs présents dans les convertisseurs de puissance sont associés à un circuit de com...
L\u27IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a pris une part importante dans les applications de l\...
Le mémoire de thèse est structuré en 3 chapitres. Le 1er chapitre présente le contexte de forte vite...
insulated gate components, MOSFET, JFET, self-supply, integration, gate drivePower converters are no...
The semiconductors used in power converterssuch as IGBT and MOSFET transistors are driven by anelect...
Sklopovi učinske elektronike omogućavaju transformaciju napona i struja uz visoki stupanj iskoristiv...
Ce travail de thèse s’inscrit dans la démarche engagée depuis quelques années et concernant l’intégr...
Les composants de puissance grand gap présentent d'ores et déjà des caractéristiques statiques et dy...
L’électronique de puissance est un des domaines technologiques ayant connu le plus d’innovation dura...
Ce travail de thèse s inscrit dans la démarche engagée depuis quelques années et concernant l intégr...
Opisan je princip rada i specifičnosti upravljanja SiC MOSFET poluvodičkim sklopkama te njihove pred...
National audienceThis article deals with advanced gate drivers for MOSFET and IGBT power electronics...
The thesis work focuses on the design and the implementation of a generic integrated gate driver cir...
Ces travaux de thèse s’inscrivent dans le cadre d’une collaboration entre les laboratoires G2ELAB et...
L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a pris une part importante dans les applications de l'éle...
Les semi-conducteurs présents dans les convertisseurs de puissance sont associés à un circuit de com...
L\u27IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a pris une part importante dans les applications de l\...
Le mémoire de thèse est structuré en 3 chapitres. Le 1er chapitre présente le contexte de forte vite...
insulated gate components, MOSFET, JFET, self-supply, integration, gate drivePower converters are no...
The semiconductors used in power converterssuch as IGBT and MOSFET transistors are driven by anelect...
Sklopovi učinske elektronike omogućavaju transformaciju napona i struja uz visoki stupanj iskoristiv...
Ce travail de thèse s’inscrit dans la démarche engagée depuis quelques années et concernant l’intégr...
Les composants de puissance grand gap présentent d'ores et déjà des caractéristiques statiques et dy...
L’électronique de puissance est un des domaines technologiques ayant connu le plus d’innovation dura...
Ce travail de thèse s inscrit dans la démarche engagée depuis quelques années et concernant l intégr...
Opisan je princip rada i specifičnosti upravljanja SiC MOSFET poluvodičkim sklopkama te njihove pred...
National audienceThis article deals with advanced gate drivers for MOSFET and IGBT power electronics...