Le carbure de silicium est un semi-conducteur à grand gap qui s’est récemment imposé comme un matériau clé pour l’électronique de puissance. Les cristaux massifs ainsi que les couches épitaxiales actives sont aujourd’hui obtenus par des procédés en phase gazeuse, comme la croissance par sublimation (ou PVT) et le dépôt chimique en phase gazeuse (CVD), respectivement. Le procédé de croissance en solution à haute température est actuellement revisité en raison de sa capacité à atteindre des qualités cristallines exceptionnelles. Ce travail est une contribution au développement du procédé de croissance en solution à partir d’un germe (TSSG), avec comme objectif principal l’accès à des cristaux de 4H-SiC fortement dopés de type p. Le dopant p l...
97% des articles publiés sur les études climatiques racontent que le réchauffement climatique est en...
En aquesta tesi doctoral, hem explorat innovadores tècniques de processat basades en el dipòsit de s...
Une alternative à la réduction des dimensions caractéristiques des transistors est la 3D séquentiell...
Silicon Carbide is a wide band gap semiconductor which has recently imposed as a key material for mo...
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Silicon Carbide (SiC) is one of the most desirable materials for power electronic devices. The devel...
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Les mécanismes de croissance de deux monocristaux fonctionnels crû à partir de solution, Herbertsmit...
La modélisation et la simulation des procédés de croissance tel que le transport physique en phase v...
Dans ce travail, nous avons étudié certains aspects fondamentaux (i) du mouillage, (ii) de germinati...
Le graphène est un matériau bidimensionnel appartenant à la famille des allotropes du carbone. Il co...
Il est important pour l’industrie nucléaire de mener des études amont pour mieux appréhender les phé...
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Cette thèse porte sur l’optimisation d’un procédé de croissance, reproductible et contrôlé, d’une mo...
97% des articles publiés sur les études climatiques racontent que le réchauffement climatique est en...
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Une alternative à la réduction des dimensions caractéristiques des transistors est la 3D séquentiell...
Silicon Carbide is a wide band gap semiconductor which has recently imposed as a key material for mo...
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