量子井光偵測器現時於紅外線波段中廣泛應用中,其中涵括了天文、醫療、建築、軍事、安全系統等領域。如何能最有效且最省能提高其吸收效率遂成為熱門之課題。吾人冀以光柵之系統大幅改善光柵之吸能效率,並著重於了解其蝕刻深度與吸收效率之相關性。並習察得蝕刻至底電極時有較高之響應率,以此為基底,引用原理分析解釋,並做進一步之討論。 光柵者,能使光繞射,藉以使其電場可大量垂直於基板表面,大幅增加光電流之產生。光繞射入光柵溝槽後,將產生表面消逝波,能大幅增加其於主動層處之吸收,並觀察蝕刻深度之深淺,以研究蝕刻深度及響應度之變化。 目前之結果,吾人發現蝕刻至底電極時有較佳響應,但其結果仍有向上空間,分析為應是表面電子復合率高及主動層過多被蝕刻所致。除此之外,吾人亦有探討蝕刻相同深度不同光柵週期時之響應度比較,得其結果為於光柵週期2.0微米時有最高之響應率,並究其原因分析探討之。The quantum-well infrared photodetector(QWIP) is widely applied in contemporary technology. It is mainly applied in the field of astronomy, medical science, architecture, military and safety system. Therefore, it became a popular topic on how to make the fabrication of QWIP costless and simultaneously promote its absorption efficiency. In this paper, we attempt to ...
Исследованы амплитудные характеристики импульсов лавинных фотоприемников с площадью фоточувствительн...
InGaAs/InGaAsP 다중양자우물구조에 불순물없는 vacancy 확산으로 지역 선택적인 상호 섞임 현상을 유도하고, 다중 파장 검출이 가능한 집적 광도파로형 photodete...
保有するイオン照射研究施設TIARAにおいて、独自の照射技術と長年の研究で得た照射効果に関する基礎的知見をもとに、燃料電池向けナノ材料の創製に関する研究に取り組んでいる。本講演では、(1)高エネルギー...
量子井紅外線偵測器(QWIP)在最近幾年快速發展,因為其靈敏度高、穩定、性能均勻一致且良好。除此之外QWIP也可以製作大面積、低功耗、低成本、高均勻性和高靈敏度的焦平面陣列(FPA),使其應用範圍廣泛...
本文的研究目的在於提升量子點紅外光偵測器的操作溫度,主要是利用原子層沉積技術將氧化鋁鍍在元件表面,來達到修補元件表面因濕蝕刻造成的缺陷以及壞鍵,進而降低元件的暗電流並直接提高量子點紅外光偵測器的操作溫...
本研究中,我們在氮化鋁鎵深紫外光量子井上面有123奈米的氮化鋁鎵覆蓋層上製作不同深度和夾有折射率較氮化鋁鎵低的介電質中間層之鋁突起陣列結構,將表面電漿子耦合效應應用在深紫外光量子井上,量測從低溫到室溫...
我們使用金屬有機化學氣相沉積的方式,成長氮化鋁鎵深紫外光量子井,並在上面成長123奈米的氮化鋁鎵覆蓋層。然後,我們在覆蓋層製作一維鋁奈米光柵結構產生表面電漿子耦合效果,來提升氮化鋁鎵深量子井的內部量子...
碩士電子工程學系[[abstract]]本論文主要利用光激發螢光光譜(PL)與光子調制反射光譜(PR)研究半導體量子井混合效應之光學特性,並探討隨溫度變化之量子井中的激子躍遷訊號,其量測範圍為15K至...
我們在砷化鎵基板上成功製作單層砷化銦量子點的光子晶體奈米共振腔,在製程方面,藉由電子束直寫微影技術,以及經由乾式蝕刻與濕式蝕刻的步驟,將光子晶體奈米共振腔製作出來。並在室溫利用連續波雷射激發出雷射光,...
本論文探討以光子晶體提昇氮化銦鎵多重量子井 (multiple quantum well) 為主動層之太陽能電池及發光二極體元件效率。在太陽能電池效率提昇方面,利用自我組裝之聚苯乙烯奈米球微影術 (P...
在本研究中,首先我們以氮化銦鎵半導體雷射 (406nm) 量測隨溫度變化的螢光頻譜、用 Ti:Sapphire 雷射之二倍頻 (波長391nm) 進行時域解析螢光頻譜、隨波長變化的時域解析螢光頻譜量測...
藉由在砷化銦量子點上誘W2奈米的鋁砷化鎵,使得3 ML的砷化銦/鋁砷化鎵/砷化鎵量子點紅外線偵測器具有5.6、9.5以及15.7 μm多波段之響應。根據隨雷射必v變化之光激放光頻譜(PL)可得知,短波...
碩士電子工程學系[[abstract]]本文使用AlGaInAs材料為來設計非對稱量子井,以得到寬頻之1.31μm半導體雷射二極體。採用模擬軟體設計量子井之成份、厚度與排列順序來達到雷射發光增益頻譜頻...
在本論文中,我們利用光致發螢光技術研究氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體及氧化鎘鋅/氧化鋅發光二極體之光學特性。首先以氮化銦鎵半導體雷射 (波長406nm) 對氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體進行隨溫度變化的螢光頻...
熱膨脹係數的不同讓在矽基板上高溫成長完成之氮化鎵磊晶層在降溫過程中產生很強的伸張應力,使得氮化鎵層龜裂。為解決此問題,我們利用溫度漸變過程成長氮化鋁緩衝層以產生收縮應力來補償上述降溫過程產生的伸張應力...
Исследованы амплитудные характеристики импульсов лавинных фотоприемников с площадью фоточувствительн...
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