藉由結合共聚焦顯微鏡及TCSPC系統的單分子光譜,在單分子級的解析度下觀察單一半導體之量子點的螢光軌跡與生命期得以實現。本次實驗中,直徑分別為3.6、4.6及6.4 nm的CdSe/ZnS量子點將以迴旋塗布的方式塗布在玻璃或二氧化鈦薄膜表面,並利用波長為375 nm的脈衝雷射激發量子點,及透過單分子光譜來觀察單一量子點在不同表面上的螢光軌跡與生命期,藉由其變化來探討量子點與二氧化鈦薄膜界面之間的電子轉移之動力學現象。量子點吸附在玻璃與二氧化鈦薄膜表面的螢光生命期之差距,表現出與量子點的粒徑具有相關性,並且展現出隨粒徑增加,而生命期的差距減小的趨勢。透過生命期的差距,我們估計出粒徑為3.6及4.6 nm的量子點與二氧化鈦界面之間的電子轉移速率常數,其值分別為(1.5±1.4)×107 及 (6.8±8.1)×106 s-1,以及其電子轉移的量子產率分別為22.6及13.3 %。但由於粒徑為6.4 nm的量子點之生命期差距太小,無法透過這個方法估計出電子轉移速率常數。在觀察量子點的閃爍行為時,發現其on-state及off-state的機率密度分布為non-exponential decay。並利用truncated-power law 對on-state的機率密度分布做模擬計算,藉由計算得到的參數以及Marcus ET model,我們更進一步地用理論計算的方式計算出三種不同粒徑的量子點之電子轉移速率常數,其值分別為1.42×107、6.80×106以及 1.86×106 s-1,可以與單分子光譜的實驗結果互相吻合。The SMS (Single molecule spectroscopy) which combined confocal microscopy and TCSP...
本篇論文主要研究以垂直結構成長之氧化鋅薄膜蕭特基接面元件之特性。薄膜以紅外光波段之二氧化碳雷射蒸鍍成長法長成,氧化鋅薄膜皆以加熱之雙氧水為表面處理。至於金屬接面,我們選擇室溫成長之氧化銦錫,因其同時具...
半導體的製程已經縮小到32奈米而且還會愈來愈小,在此同時智產 (intellectual properties)核心的數目不斷增加。隨著晶片製程技術的演進,如今在單一晶片上可以涵蓋數以億計個邏輯閘,所...
碩士機電工程學系[[abstract]]本論文為探討PCB CO2雷射鑽孔機XY精密進給平台之動態精度檢驗與預補償技術。包括精密運動平台之PID參數調整、精度校驗與補償技術等為主要研究議題。在控制器方...
近年來,隨著無線通訊應用的快速成長,不同的無線通訊規格也相繼出現,便需要不同的收發機,因此,如何整合這些通訊系統在同一收發機內成為一個熱門的議題。軟體無線電(Software-Defined Radi...
利用傳輸線超材料的概念,本文提出具有寬頻共模態抑制的耦合傳輸線。此傳輸線由一對耦合線及蕈狀接地結構所組成,其等效電路結構能有效解釋其傳輸特性。根據奇偶模態分析,在奇模態激發時,此耦合線呈現電磁波在準T...
[[abstract]]遺傳演算法是仿達爾文進化論所發展出來的一種解決最佳化問題的有效方法,此法使用交配和突變等運算子產生新的個體,然後利用適者生存的進化法則來淘汰不適合的個體,而留下較佳的個體,一旦...
氧化鋯(ZrO2)陶瓷由於其結合高強度、高韌性、高離子傳導率及低熱導率的性質,已經被廣泛地應用在包括結構、能源及生醫方面。在一些應用中; 如固態氧化物燃料電池(SOFC)及熱阻絕鍍膜(TBC),氧化鋯...
雙奈米狹縫金屬光柵為每個週期存在兩個奈米狹縫的金屬一維週期性結構。光波入射雙奈米狹縫金屬光柵反射和穿透的特性會隨著兩個狹縫的參數和兩個狹縫模態的能量耦合程度變化。本篇論文推導出來解析模型分析光波入射雙...
製作於絕緣層上矽平台的矽奈米線波導,因具有與成熟的互補式金屬氧化物半導體技術的兼容性,而在超小型光子積體電路的應用上有巨大的潛力。然而由於絕緣層上矽光子積體電路中極化相依性的問題,例如極化相依性色散以...
本篇論文主要是針對近年來新興熱門的二維材料(2D material)-二硫化鉬(MoS2)作研究。由於二硫化鉬與金屬之間的介面有著很高的電阻值,因此針對這個問題去做發揮討論。我們以二硫化鉬作為通道...
目的:探索双能X线吸收(Dual Energy X-Ray Absorptiometry,DEXA)法测量体脂分布的应用价值.方法:对85名受试者应用体重测量仪测定法逐一测量简易体脂参数:身高、体重、...
在本論文中,我們研究含奈米矽晶的富矽氮化矽薄膜的光電特性及材料分析。我們使用電漿輔助化學氣相沉積通以矽甲烷與氮氣或氨氣成長富矽氮化矽薄膜,經退火後形成富含奈米矽晶的氮化矽層。我們得到氨氣是比氮氣更適合...
在所有鑄造的矽晶中,N 型類單晶矽擁有高效能與低成本的優勢,然而仍需要在長晶中控制晶碇的阻值、單晶比例以及缺陷的生成。本文主要提到單晶比例與缺陷控制的結果。單晶比例控制部分,藉由加強坩堝側壁保溫可獲得...
[[abstract]]氧化亞錫是一種具有良好漂移率、高穿透率的四方晶格結構p型半導體,是一種具有高度潛力的薄膜電晶體材料,可實現低功率、高性能互補電路且可提供與有機發光二極體(OLED)更好的相容性...
通过合成一系列同一分子中既含有给电子性荧光生色团又含缺电子性碳碳双键的烯类单体, 发现这类单体在相同生色团浓度下的荧光强度均明显低于相应的饱和模型化合物或聚合物[1~3]. 这种现象称为荧光结构自猝灭...
本篇論文主要研究以垂直結構成長之氧化鋅薄膜蕭特基接面元件之特性。薄膜以紅外光波段之二氧化碳雷射蒸鍍成長法長成,氧化鋅薄膜皆以加熱之雙氧水為表面處理。至於金屬接面,我們選擇室溫成長之氧化銦錫,因其同時具...
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