近年來,利用半導體雷射激發之光纖雷射逐漸成為高功率雷射的主流,由於它擁有極佳的光束品質、窄線寬以及很高的電光轉換效率等優點。此外,半導體雷射陣列及陣列堆疊是一種很可靠的高功率激發光源,並廣泛地被使用在各種應用上。當光纖雷射的激發光源來到此種擁有更多的發光區域之堆疊式雷射陣列,其在慢軸的多模態發光特性往往使得能被使用的功率受到限制,以致於到目前為止,堆疊式雷射陣列只能用來當成塊狀雷射的激發光源,因而仍然有許多技術問題需要被改善與克服。 基於上述,本論文提出了一種更精巧且更有效率的光柵側向式耦光架構,利用特殊設計的光柵耦合器,可以直接將半導體雷射陣列及陣列堆疊的光經由側面耦合進雙纖衣光纖的內層纖衣。在實驗上,我們利用電子束微影系統來製做此種次波長光柵。此外,我們也考慮到回返繞射所產生的損耗、製程上所產生的光柵側壁垂直度誤差,這些都可經由最佳化光柵的周期、線寬以及深度來達到最高的耦光效率。實驗結果顯示黃金鑲嵌二氧化矽之光柵耦合器的耦光效果遠比單純的黃金光柵耦合器還要好,這是因為此種二元結構擁有較高的熱膨脹抵抗能力以及較佳的熱傳導路徑。 對於一維半導體雷射陣列側向耦光架構,實驗結果顯示黃金鑲嵌二氧化矽之光柵耦合器能將21瓦,波長976 奈米的連續輸出光,耦合進直徑400 微米之雙纖衣光纖的內層纖衣中,耦光效率為50 %。更進一步,藉由此光柵耦合器,側向激發之摻鐿雙纖衣光纖雷射也被實現。在雙向側向激發的架構中,雷射功率可達10瓦,斜率效率約為61 %。此外,對於半導體雷射陣列堆疊側向耦光架構,亦可藉由此光柵耦合器,實現了只使用單一一組半導體雷射陣列堆疊,即達成分佈式側向耦光之架構。據我們所知,這是世界上首次如此精巧地實現了分佈式側向耦光之架構。當304.4瓦的半導體雷射陣列堆疊輸出,...
這篇論文共提出三個功率放大器,分別利用Doherty放大器、低頻二階項前饋、以及多路功率結合來提升放大器的回推效率、線性度以及輸出功率。 第一顆晶片是使用180奈米互補式金氧半導體製作一個操作在K 頻...
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本論文首先針對長程演進技術(Long Term Evolution, LTE)的特點和所採用的技術作深入淺出的介紹。為了提高頻譜使用效率、提高系統效能表現和降低系統成本,長程演進技術在上行採用了單載波...
[[abstract]]隨著對行動裝置視訊服務的上升趨勢,如何將這些裝置的功率消耗減到最小並延長電池的使用壽 命成為現今的主要設計問題,其中,視訊壓縮為主要的功率消耗來源,特別是移動估測。移動估測為 ...
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「資料探勘」是一門從儲存於資料庫的龐大資料中挖掘出有價值知識的技術。近年來在許多實際應用領域中,資料不再是靜態儲存於資料庫中的型態,而是以動態的方式持續不斷地傳輸、稱為「資料串流」的處理模型。資料串流...
光学薄膜元件是激光器中的抗激光薄弱元件,其破坏问题一直是激光系统向高功率、大能量方向发展的瓶颈之一。从实际应用出发,光学薄膜元件总要经受多次激光的作用。相比于单脉冲激光作用,在重频多次激光作用下,很多...
隨著製程的演進,超大型積體電路設計的複雜度也急遽上升。近年來,單一積體電路晶片所包含之電晶體已達到數十億以上。為了對抗此急速高升的設計複雜度,重複利用嵌入式記憶體、類比電路、矽智產等已設計好之巨集元件...
多重相機網路的一大特色是資料量龐大,並且有低傳輸延遲的需求。因此,不同於傳統網路下考慮如何最大化個別相機的傳輸效能,我們以如何能更有效的提升頻譜使用效率作為出發點,試圖在不影響影像蒐集品質的前提下,最...
作为制作LED衬底的基本材料,蓝宝石材料的内部缺陷会给氮化镓(GaN)有机化学气相沉积(MOCVD)过程带来不利影响,因此限制了蓝宝石对于高质量LED制造的适用性,直接影响了高亮度LED衬底的晶片制造...
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