連續式磁記錄薄膜的晶粒尺寸受到超順磁現象的限制,阻礙了超高密度記錄媒體的發展,而圖案化記錄媒體是能有效克服此障礙的方法之一。本研究的目的是開發一種製程相對較簡易、較經濟而且可大面積製作圖案化記錄媒體的方法。 為了改善磁記錄媒體的訊雜比,磁性薄膜的晶粒尺寸必須大幅縮小,且磁性晶粒間的交換耦合效應也需減小才可有效降低媒體雜訊。不連續磁性薄膜中的磁性島狀物之間的交換耦合效應較低,可降低媒體雜訊,進一步調整實驗參數得到尺寸較小且分布均勻的島狀磁記錄點即可大幅提高磁記錄密度。 以(Fe/Pt)n為主要膜層結構鍍製FePt薄膜(15 nm)於玻璃基板上經700 ℃退火30分鐘後,當FePt薄膜內的Fe原子百分比為59 at.%時,FePt薄膜擁有較佳的垂直膜面磁異向性與序化度,此時L10 FePt phase之易磁化軸[001]沿著垂直膜面的方向成長,適合應用於垂直式磁記錄媒體。 將不同厚度FePt薄膜於玻璃基板上以700 ℃退火30分鐘,經XRD測試發現,當FePt薄膜厚度為5 nm已經有明顯的fct-FePt (001)及fct-FePt (002)序化相繞射峰出現。當FePt薄膜厚度增加到15 nm時,有最強的fct-FePt (001)及fct-FePt (002)序化相繞射峰,顯示在此厚度下的FePt薄膜有很好的垂直膜面磁異向性。當厚度為30 nm時,fct-FePt (001)及fct-FePt (002)序化相繞射峰的強度開始減弱,而fct-FePt (111)序化相繞射峰會增強,顯示當FePt薄膜厚度大於15 nm後,薄膜的磁異向性將由垂直膜面磁異向性逐漸傾向為平行膜面磁異向性,但整體薄膜序化相的含量隨著薄膜厚度的增加而增加。 厚度1 nm...
本文的主要内容包括以下几个方面的研究工作:非化学计量比氧化物Sbox薄膜的结构、结晶动力学、光学和短波长光存储特性研究;聚焦光斑克尔磁滞回线测试装置的搭建以及利用该装置对磁光薄膜的热效应分析;掺杂轻稀...
合成三个系列的新型表面活性剂,制备了三个系列的聚乙烯接枝共聚物。第一系列的表面活性剂是将Tween8O、span80,聚氧乙烯肉桂醇醚,PEO(400),PEO(1000),PEO(2000)OCOC...
AbstractThe amorphous HfO2 doped Gd2O3 (GDH) film has been grown on p-type Si (001) substrates by ra...
论文回顾了电化学发光的发展历史,介绍了电化学发光反应的基本原理和电化学发光的主要反应体系及其反应机理,评述了电化学发光在其与流动注射、毛细管电泳及高效液相色谱联用,电化学发光传感器,无机物质的分析,有...
高分子材料應用於記憶體元件為近年來之新興領域,相較於傳統元件因其本質特型不同而引起廣泛的研究及討論;自組裝嵌段共聚高分子摻混功能性奈米粒子所形成之奈米複合材料,由於具有特殊的奈米結構及電性,因此在記憶...
本論文主要研究方向著重於設計與發展二氧化鈦奈米晶粒以快速的步驟合成並作為高效率染料敏化太陽能電池的光電極材料。 近年來,文獻指出(001)晶面相比於(101)晶面的二氧化鈦能更進一步提升染料附載量,所...
靜電紡絲是一項獨特且廣為應用於各領域的技術,此技術的最大特點在於可以製備奈米等級的纖維,相較於傳統製備方式,可以把纖維從微米尺度提升至奈米尺度,進而大幅度提高纖維的比表面積。此外,在施加高電壓後,靜電...
近年太陽能為綠色能源科技主要研究範疇之一,其中新型態太陽能電池:染料敏化太陽能電池具備製程簡易、可撓曲特性與豐富色彩美觀之優勢,並可提供相當潛力之光致電轉換效率,因此成為世界各地學者極力開發重點。本論...
本研究針對河水、底泥與生物體中之辛基酚(4-tert-octylphenol)、壬基酚4-nonylphenol)、壬基酚單乙氧烯乙酸(nonylphenoxy acetic acid)、壬基酚單乙氧...
随着航空航天工业的发展,高马赫数飞行器对于高温透波材料,特别是高性能透波陶瓷纤维的需求日益剧烈。BN-Si3N4复相陶瓷纤维结合了BN纤维优异的热稳定性、介电性能和Si3N4纤维出色的力学性能的优点,...
本論文利用侵入式、雷射退火與雷射引發噴射沉積法製作的金屬奈米團簇開發新型一維奈米結構與光學資料儲存媒介及生醫感測試紙。本論文之第一部分是利用奈米金團簇來開發具高密度奈米結構同質矽抗反射層。利用矽基材表...
介孔玻璃由于其孔径分布均匀,比表面积大,表面活性高,发光离子或分子可在玻璃中得到均匀分散。溶胶凝胶法制备的介孔玻璃化学纯度高,可以调控玻璃中的化学环境来实现发光调制。长期以来,受到金属醇盐水解速度过快...
本論文主要探討兩種高分子薄膜材料,聚紫精(PBV)及PProDOT-Et2之電化學特性與光電方面之應用。 在第一部份(第三章與第四章)針對聚紫精於電化學反應時之離子進出現象透過掃瞄式電化學顯微...
低介电常数材料可作为微电子器件的层间或是导线间的绝缘材料,以提高微电子芯片的信号传输速率。在聚合物材料中引入氟元素或引入空洞可以有效降低聚合物材料介电常数。本文利用层层组装的方法在聚合物中引入空洞以降...
高密度深刻蚀光栅表现出了有用的光学功能,例如偏振分束和1×2分束。这里,高密度表示周期具有波长量级或者亚波长量级,深刻蚀表示深度达到波长量级或者几个波长量级。基于高密度深刻蚀光栅,能够设计新型的微光学...
本文的主要内容包括以下几个方面的研究工作:非化学计量比氧化物Sbox薄膜的结构、结晶动力学、光学和短波长光存储特性研究;聚焦光斑克尔磁滞回线测试装置的搭建以及利用该装置对磁光薄膜的热效应分析;掺杂轻稀...
合成三个系列的新型表面活性剂,制备了三个系列的聚乙烯接枝共聚物。第一系列的表面活性剂是将Tween8O、span80,聚氧乙烯肉桂醇醚,PEO(400),PEO(1000),PEO(2000)OCOC...
AbstractThe amorphous HfO2 doped Gd2O3 (GDH) film has been grown on p-type Si (001) substrates by ra...
论文回顾了电化学发光的发展历史,介绍了电化学发光反应的基本原理和电化学发光的主要反应体系及其反应机理,评述了电化学发光在其与流动注射、毛细管电泳及高效液相色谱联用,电化学发光传感器,无机物质的分析,有...
高分子材料應用於記憶體元件為近年來之新興領域,相較於傳統元件因其本質特型不同而引起廣泛的研究及討論;自組裝嵌段共聚高分子摻混功能性奈米粒子所形成之奈米複合材料,由於具有特殊的奈米結構及電性,因此在記憶...
本論文主要研究方向著重於設計與發展二氧化鈦奈米晶粒以快速的步驟合成並作為高效率染料敏化太陽能電池的光電極材料。 近年來,文獻指出(001)晶面相比於(101)晶面的二氧化鈦能更進一步提升染料附載量,所...
靜電紡絲是一項獨特且廣為應用於各領域的技術,此技術的最大特點在於可以製備奈米等級的纖維,相較於傳統製備方式,可以把纖維從微米尺度提升至奈米尺度,進而大幅度提高纖維的比表面積。此外,在施加高電壓後,靜電...
近年太陽能為綠色能源科技主要研究範疇之一,其中新型態太陽能電池:染料敏化太陽能電池具備製程簡易、可撓曲特性與豐富色彩美觀之優勢,並可提供相當潛力之光致電轉換效率,因此成為世界各地學者極力開發重點。本論...
本研究針對河水、底泥與生物體中之辛基酚(4-tert-octylphenol)、壬基酚4-nonylphenol)、壬基酚單乙氧烯乙酸(nonylphenoxy acetic acid)、壬基酚單乙氧...
随着航空航天工业的发展,高马赫数飞行器对于高温透波材料,特别是高性能透波陶瓷纤维的需求日益剧烈。BN-Si3N4复相陶瓷纤维结合了BN纤维优异的热稳定性、介电性能和Si3N4纤维出色的力学性能的优点,...
本論文利用侵入式、雷射退火與雷射引發噴射沉積法製作的金屬奈米團簇開發新型一維奈米結構與光學資料儲存媒介及生醫感測試紙。本論文之第一部分是利用奈米金團簇來開發具高密度奈米結構同質矽抗反射層。利用矽基材表...
介孔玻璃由于其孔径分布均匀,比表面积大,表面活性高,发光离子或分子可在玻璃中得到均匀分散。溶胶凝胶法制备的介孔玻璃化学纯度高,可以调控玻璃中的化学环境来实现发光调制。长期以来,受到金属醇盐水解速度过快...
本論文主要探討兩種高分子薄膜材料,聚紫精(PBV)及PProDOT-Et2之電化學特性與光電方面之應用。 在第一部份(第三章與第四章)針對聚紫精於電化學反應時之離子進出現象透過掃瞄式電化學顯微...
低介电常数材料可作为微电子器件的层间或是导线间的绝缘材料,以提高微电子芯片的信号传输速率。在聚合物材料中引入氟元素或引入空洞可以有效降低聚合物材料介电常数。本文利用层层组装的方法在聚合物中引入空洞以降...
高密度深刻蚀光栅表现出了有用的光学功能,例如偏振分束和1×2分束。这里,高密度表示周期具有波长量级或者亚波长量级,深刻蚀表示深度达到波长量级或者几个波长量级。基于高密度深刻蚀光栅,能够设计新型的微光学...
本文的主要内容包括以下几个方面的研究工作:非化学计量比氧化物Sbox薄膜的结构、结晶动力学、光学和短波长光存储特性研究;聚焦光斑克尔磁滞回线测试装置的搭建以及利用该装置对磁光薄膜的热效应分析;掺杂轻稀...
合成三个系列的新型表面活性剂,制备了三个系列的聚乙烯接枝共聚物。第一系列的表面活性剂是将Tween8O、span80,聚氧乙烯肉桂醇醚,PEO(400),PEO(1000),PEO(2000)OCOC...
AbstractThe amorphous HfO2 doped Gd2O3 (GDH) film has been grown on p-type Si (001) substrates by ra...