在以單一光偵測器為量測系統的光學低同調掃描架構中,縱向解析度受光源的中心波長與頻寬所影響,而訊雜比受光源的不穩度所影響。本實驗室所原創之摻鉻雙纖衣晶體光纖,不但具有高頻寬,且為高穩定度的連續光源,因此可用以研製高縱向解析度與高訊雜比之近紅外光學低同調斷層掃描儀(OCT)。 藉由雷射加熱基座生長法,我們已生長出雙纖衣結構的摻鉻釔鋁石榴石光纖,當此光纖以波長為1064 nm的摻鐿光纖雷射作為幫浦光時,可產生中心波長為1.38 um、頻寬為240 nm、不穩度為0.03%的自發輻射光源。我們將其應用於OCT系統中,已可成功檢測出單層肺癌細胞層的干涉訊號,實驗結果顯示肺癌細胞厚度約為6 um。另外,經由色散補償的實驗與模擬,我們已使系統的縱向解析度從5.1 um提升至3.75 um,同時系統的訊雜比為68.3 dB。 此外,我們修正文獻中OCT訊雜比模型而建立適用於各光源的OCT訊雜比模擬模型,根據模擬結果,我們認為無法透過調變參考光強度而達到散粒雜訊(shot noise)極限,同時我們也於調變參考光強度的實驗結果中證明此預測。最後,根據振幅雜訊影響訊雜比的模擬結果,我們認為以單一光偵測器為量測系統的OCT架構中,Cr:YAG光源的訊雜比應已非常接近於此架構的最佳值。For optical coherence tomography (OCT), axial resolution is determined by center wavelength and bandwidth of the light source, whereas signal-to-noise ratio (SNR) is affected by instability of the light sour...
科技日新月異,全球電子商業隨著手機科技進步不斷蓬勃發展。現今通話的清晰度越來越要求,手機中的極發射器就需要更好的效能。因此極發射器中的E類功率放大器的控制電路「中心式數位脈波寬度調變器」漸漸需要提供高...
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光學同調斷層掃描術為現今重要的生醫造影技術之一,其縱向解析度受到光源的中心波長及頻寬所影響。針對此點,本實驗室自行生長了中心波長及頻寬分別為560 nm及95 nm的單纖衣摻鈰釔鋁石榴石晶體光纖,並以...
光學同調斷層掃描術在具有高解析度,真時影像掃瞄和非侵入性等特生,未來在細胞等級的檢測具有很大的發展潛力。現在有很多寬頻光源應用於光學同調斷層掃描上,如superluminescent diode、鈦藍...
在一般的時脈和資料回復電路中,考量抖動的情況下,我們通常會把決策點(取樣相位和電壓門檻的統稱)設在眼圖的中心位置,而在實際的情形裡,訊號的波形不會這麼的理想且互相對稱,訊號會受到雜訊、色散和符際干擾等...
本研究提供一製作微型化螢光檢測系統及螢光訊號讀取之方法,以微機電製程技術之黃光製程,運用了PDMS翻模技術與PDMS結合技術製作微流體晶片,並在微流體晶片加上高NA透鏡來增加光耦合效率與螢光接收效率,...
增亮膜為背光模組之ㄧ重要零組件,目前製作方式乃是利用滾筒模具壓印技術在高分子材料上複製出v型微結構。為達到良好的增亮效果,滾筒表面微結構具有 μm的尺寸公差,v溝的斜面則必須維持在鏡面的狀態。滾筒模具...
本研究將探討全二維結構ReSe2電晶體的雙極性電學傳輸特性,比較石墨烯材料與金屬Ti/Au材質作為電極應用的電學特性。實驗利用機械剝離法分離出薄層數的二硒化錸(通道)、六方氮化硼及石墨烯(作為絕緣層及...
本論文所製作的金氧半電容元件是將介電層氧化釔(Y2O3)用射頻濺鍍機沉積在C-Face的4H碳化矽基板,接著使用真空退火做四種不同溫度條件的退火五分鐘,分別是退火溫度300度、400度、500度及60...
隨著時代的進步,顯示器在生活中漸漸變成一種不可或缺的消費性電子產品,以液晶顯示器是近年來備受矚目的研究主題之一,其中的發展不外乎趨於尺寸越來越大或是解析度越來越高,當尺寸變大解析度變高之後,伴隨而來的...
本研究使用0.18 μm的標準矽製程製作光學感測器,所製作的光感測器為場效光電晶體,具有環形的幾何結構可以增加吸光校果,設計出的雙源極的結構擁有兩邊對稱的表面反轉層,目的是為了可以吸收更多的光子,以上...
人造光源在人類的文明發展中扮演著舉足輕重的角色,從遠古時候的鑽木取火至愛迪生發明燈泡,人類追求完美光源的腳步始終沒有停歇。近年來,隨著半導體製程技術的進步,製作奈米尺寸的結構成為可能,發光二極體的出現...
近年來,對於光學元件的要求越來越高,針對不同的元件選擇合適的加工方法,已成為掌握規格及品質之關鍵。以反射鏡的製作方式為例,製程上需根據規格條件進行基材選擇、成型、精密加工、拋光、鍍膜等流程規劃,才能製...
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