Preparation of α-Fe2O3 thin films and Ti4+ and Ge4+ doped α-Fe2O3 thin films for photoelectrochemical cells

為了利用氫氣當作低污染、可再生的替代性能源，所以發展光電化學電池來利用陽光分解水產生氫氣。本研究的目標是希望能製備出可應用於光電化學電池的半導體電極，研究中將以氧化鐵(α-Fe2O3)當作電極材料，利用溶液的方法，使用旋轉塗佈(spin coating)的方式製備氧化鐵薄膜電極，並且探討它們的光電化學性質。 研究中首先比較使用氯化鐵前驅液與硝酸鐵前驅液所製備出的氧化鐵薄膜的差異，由實驗結果知道，使用氯化鐵前驅液的薄膜，其光電化學表現比使用硝酸鐵前驅液的薄膜來得好，而研究中也探討了其可能的原因。 接下來，比較了前驅液溶劑對製備出的薄膜的影響，實驗結果知道，使用不同的溶劑，會對氧化鐵薄膜的光電化學性質造成影響，在所有實驗中比較的溶劑裡，使用異丙醇(isopropanol)當溶劑時，有較好的光電化學表現。 最後，實驗中也摻雜了鈦離子以及鍺離子到氧化鐵中，期望能提升氧化鐵薄膜的光電化學性質。由光電化學量測的結果發現，摻雜鈦離子確實可以提升氧化鐵薄膜的光電流，但是摻雜鍺離子反而會降低氧化鐵薄膜的光電流。To utilize hydrogen as a clean and renewable energy to replace petroleum, hydrogen can be gained by a photoelectrochemical cell to split water by solar light. The objective of this study is to prepare semiconductor electrode for photoelectrochemical cells. Iron oxide (α-Fe2O3, hematite) was chosen as the material, and the thin-film electrode was prepared by spin coating with precursors. The photoelectrochemistry of the thin-film electrode was studied. At first, the difference of the iron(III) chloride and iron(III) nitrate precursor was studied. By the photoelectrochemical results, the film prepared by iron(III) chloride precursor showed better photoelectrochemical response than the film prepared by iron(III) nitrate precursor, and the reasons were discussed. The effect of solvent of the precursor was studied. The experimental results showed the photoelectrochemical response of iron oxide film was affected by the solvent of the precursor. When the solvent of precursor was isopropanol, the photoelectrochemical response of iron oxide was the best among all the solvents used in the study. Finally, the effect of doping Ti4+ and Ge4+ into iron oxide was studied. The photoelectrochemical response was expected to be improved by doping Ti4+ or Ge4+ into iron oxide. By the photoelectrochemical results, doping Ti4+ into iron oxide did improve the photocurrent of the iron oxide film, but doping Ge4+ into iron oxide decreased the photocurrent of the iron oxide film.摘要 I Abstract II 致謝 III 目錄 V 圖索引 VII 表索引 X 第一章 緒論 1 1.1 前言 1 1.2 原理介紹 2 1.2.1半導體的分類 3 1.2.2半導體過量載子的產生和再結合 6 1.2.3光伏特系統 8 1.2.4光電化學系統 11 1.3 材料選擇 13 1.4 研究動機 16 第二章 文獻回顧及研究設計 17 2.1 文獻回顧 17 2.2 研究設計 21 第三章 實驗方法 23 3.1 藥品與裝置清單 23 3.2 實驗程序 25 3.2.1基材處理 25 3.2.2製備前驅液 25 3.2.3旋轉塗佈氧化鐵薄膜與軟烤 26 3.2.4鍛燒 26 3.3 儀器鑑定 27 3.3.1紫外光-可見光光光譜儀(UV-Vis Spectroscopy) 27 3.3.2 X-ray繞射儀(X-ray Diffraction，XRD) 27 3.3.3掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy，SEM) 27 3.3.4光電化學量測(Photoelectrochemical measurement) 28 3.3.5平帶電壓量測(Flat-band potential measurement) 31 第四章 結果與討論 35 4.1 純氧化鐵薄膜 35 4.1.1 氯化鐵和硝酸鐵前驅液所製備的氧化鐵薄膜的比較 35 4.1.2 氧化鐵薄膜厚度的影響 41 4.2 利用不同前驅液溶劑所製備的氧化鐵薄膜 52 4.3 摻雜鈦離子的氧化鐵薄膜 60 4.3.1 摻雜鈦離子對氧化鐵薄膜的影響 60 4.3.2 同時摻雜鈦離子和二價離子的氧化鐵薄膜 69 4.4 摻雜鍺離子的氧化鐵薄膜 72 4.4.1 摻雜鍺離子對氧化鐵薄膜的影響 72 4.4.2 同時摻雜鍺離子和銅離子的氧化鐵薄膜 80 第五章 結論 83 參考文獻 8