本文藉由理論與實驗探討聚醯亞胺之分子結構與其近紅外光區光學性質之關係。並合成相容性更佳之新型聚醯亞胺/氧化矽混成材料。最後製備可進行直接微影程序之感光性聚醯亞胺/氧化矽混成材料以製作通道性光波導。 本文的第一部份由量子化學的角度探討分子結構對分子於近紅外光的振動吸收之影響。由實驗與量子化學計算的結果顯示,當聚醯亞胺之雙胺部份的橋接官能基之拉電子能力不同時,會造成苯環上碳氫鍵長之變化,而使得碳氫鍵之振動頻率(包含基頻及倍頻)產生偏移。當橋接官能基的拉電子能力越強時,會使得碳氫鍵縮短而提高振動頻率。僅藉由改變橋基官能基由-CH2-至-SO2-即可使碳氫鍵於近紅外光區的第一倍頻吸收位置偏移約20nm,第二倍頻吸收位置偏移約10 nm。且由於分子結構使倍頻吸收位置產生偏移,會影響到聚醯亞胺所製備平面光波導之光傳損失。以PMDA/DPM與PMDA/ODA為例,雖然PMDA/DPM具有較高的C-H鍵密度,但由於其C-H鍵較長使得其振動吸收位置往長波長處偏移,造成以PMDA/DPM所製備的光波導在波長1310nm處的光傳損失反而比PMDA/ODA來得低。 本文第二部份探討聚醯亞胺/氧化矽混成材料的合成與性質。聚醯亞胺為傳統之高性能高分子,被廣泛地使用在微電子等產業中,聚醯亞胺/氧化矽混成材料可進一步提高其熱性質與機械性質而獲得廣泛地研究。本研究利用GOTMS作為分子間作用力(氫鍵)之耦合基與APrTMS作為分子內耦合基(共價鍵),可以同時保留聚醯亞胺的優秀熱穩定性同時使混成的氧化矽顆粒均勻的分散其內。藉由TEM照片可知本研究逤製備之混成材料,其氧化矽顆粒大小僅有5nm,可將非必要之光散射損失降至最低。此外聚醯亞胺的熱穩定性亦可藉由加入氧化矽而提高。由於奈米等級分散的氧化矽顆粒與...
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