Development Of Carbon Nanotube Doped İndium Tin Oxide Transparent Conductive Electrode

Gökçen, Gökçeli

Publication date

June 2018

Publisher

Vietnam Atomic Energy Institute

Abstract

Tez (Yüksek Lisans) -- İstanbul Teknik Üniversitesi, Enerji Enstitüsü, 2018Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Physics, [DATE]In2O3 kristal yapısının içerisine Sn4+ iyonlarının yerleşmesi ile meydana gelen indiyum kalay oksit (ITO) geçirgen iletken filmler, düşük yüzey direnci (<200 Ω/kare) ve görünür bölgede %80 üzeri geçirgenlik sergilemelerinden dolayı en çok tercih edilen elektrot malzemesi olarak karşımıza çıkmaktadır. Ancak, ITO'nun kırılgan yapıda olması film içerisinde mikro boyutta çatlaklar meydana getirerek cihazın performansını etkileyebilmektedir. Ayrıca, indiyum kaynaklarının sınırlı olması uzun vadede ITO kullanımında bir engel olarak görülmekte ve alternatiflere yönelinmesi gerektiğini düşündürmekt...

Extracted data

We use cookies to provide a better user experience.

Data Protection

Development Of Carbon Nanotube Doped İndium Tin Oxide Transparent Conductive Electrode

Abstract

Extracted data

Development Of Carbon Nanotube Doped İndium Tin Oxide Transparent Conductive Electrode

Abstract

Extracted data

Related items

Related items