Influência dos parâmetros de crescimento de filmes finos de TiO2 depositados pelo método MOCVD

The synthesis of TiO2 thin films was carried out by the Organometallic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method. The influence of deposition parameters used during growth on the final structural characteristics was studied. A combination of the following experimental parameters was studied: temperature of the organometallic bath, deposition time, and temperature and substrate type. The high influence of those parameters on the final thin film microstructure was analyzed by scanning electron microscopy with electron dispersive X-ray spectroscopy, atomic force microscopy and X-ray diffraction.A síntese de filmes finos de TiO2 foi feita pelo método de deposição química do vapor de organometálicos (MOCVD). Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento, nas características estruturais finais. Foi feita uma combinação de vários parâmetros experimentais: temperatura do banho do organometálico, tempo de deposição, e temperatura e tipo do substrato. A forte influência destes parâmetros na microestrutura final do filme foi analisada por microscopia eletrônica de varredura com espectroscopia de raios X dispersiva de elétrons, microscopia de força atômica e difração de raios X