PERANCANGAN DAN PEMBUATAN PENGUAT RF AMPLIFIER UNTUK BAND 7 MHZ MENGGUNAKAN METODE DOUBLE PUSH PULL

PERANCANGAN DAN PEMBUATAN PENGUAT RF AMPLIFIER UNTUK BAND 7 MHZ MENGGUNAKAN METODE DOUBLE PUSH PULL Mussa Herry P. Soares Yudi Limpraptono Kartiko Ardi widodo ABSTRAK Daya keluaran dari suatu pemancar ditentukan oleh penguat daya RF yang digunakan, sehingga pemancar berdaya kuat akan dapat diperoleh apabila penguat daya RF yang digunakan mampu menghasilkan daya keluaran yang besar sala satunya adalah penguat dengan metode double push pull.Pemancar yang umum dipasarkan adalah pemancar dengan daya keluaran kecil.Pemancar berdaya besar, selain sulit diperoleh harganya juga sangat mahal. Pada penilitian skripsi ini dibahas tentang perancangan dan pembuatan penguat RF amplifier menggunakan metode double pushpull ini mempunyai bagian utama yaitu perancangan perangkat keras berupa (hardware). Bagian perancangan hardware terbagi menjadi dua, antaralain menjelaskan tentang kerangka konsep penelitian pada perancangan, dan implementasi penguat RF menggunakan metode double pushpull sehingga menghasilkan daya yang besar.Dari hasil Analisa daya I/O pada rangkain tersebut yaitu penguatan daya output adalah sepuluh kali ( 10 X ) dari sinyal inputan .Yaitu jika sinyal input 5 Watt maka hasil penguatan dari output nya adalah 50 Watt,dan seterusnya. Kata Kunci : Mosfet IRFP 150 N,RF Amplifier DESIGN AND DEVELOPMENT RF AMPLIFIER FOR BAND 7 MHZ USING METHOD DOUBLE PUSH PULL Mussa Herry P. Soares Yudi Limpraptono Kartiko Ardi widodo ABSTRACT The output power of a transmitter is determined by the RF power amplifier used, power transmitter can be obtained if the RF power amplifier used can produce a large output power. Commonly marketed transmitters are transmitters with moderate output power (± 100 Watt) Powerless transmitters The RF amplifier is designed using four IRFP 150 N MOSFETs, as a component of a RF amplifier that works on HF (7 MHz) frequency which requires low cost. In addition to the low cost characteristics of the MOSFET is also good, can handle large currents (42A), and resist against the back emf of magnitude max 100 V. From the results of power analysis on the RF amplifier is the strengthening of the output power is ten times (10X) ofthe input signal given. Keywords: Mosfet IRFP 150 N, RF Amplifie