Développement de microcommutateurs MEMS RF à contact ohmique à faible tension d'actionnement

4p.Malgré d'excellentes caractéristiques hyperfréquences (faibles pertes, faibles consommation, compacité et excellente linéarité), les microcommutateurs MEMS RF à actionnement électrostatique présentent des performances limitées telle qu'une vitesse de commutation trop faible, une encapsulation coûteuse, et une tension d'actionnement trop élevée. Dans ce contexte, plusieurs configurations de commutateurs (capacitif ou ohmique, série ou parallèle) sont proposées pour atteindre l'objectif de faible tension d'actionnement. Les dernières études réalisées sur des microcommutateurs capacitifs montrent qu'il est difficile d'obtenir un contact capacitif parfait pour une tension d'actionnement faible. Pour supprimer ce problème lié au contact capacitif, une nouvelle filière technologique de microcommutateurs série et parallèle à contact ohmique est développé. L'objectif est de minimiser la résistance de contact pour obtenir les meilleures performances micro-ondes tout en gardant une tension d'actionnement faible