Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V

National audienceDans cet article, nous présentons l'étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS. Nous rappelons, dans un premier temps, la structure du transistor ainsi que ses caractéristiques technologiques. La structure est ensuite simulée à l'aide du logiciel TCAD Sentaurus dans le but d'étudier la sensibilité de ses performances statiques en fonction de la variation de différents paramètres géométriques et technologiques. Il s'avère que les variations technologiques dans le volume de la structure sont néfastes à sa tenue en tension, alors que la géométrie de surface influence peu le comportement