Development of magnetic field responsive transistor based on molecular　conductors

研究成果の概要（和文）：分子性導体の主要構成分子であるテトラチアフルバレン（TTF）誘導体が常磁性金属イオンであるCu(II)イオンに配位したTTF-金属錯体を用いた電界効果トランジスタ（FET）の特性を向上させるため，TTF-金属錯体の誘導体を新たに合成し特性の向上を達成した。また，新しいシッフ塩基型錯体としてTTF部位を持たないsalphen錯体が大気中で安定に作動するFETデバイスを与えることを見出した。さらに，よりスピン多重度が大きな金属イオンと配位可能な新規TTF-配位子，ならびにその錯体の合成に成功し，強磁性相互作用を示すキューブ錯体や水素結合ネットワークを有する一次元チューブ状錯体の開発に成功した。 研究成果の概要（英文）：In order to improve field effect transistor (FET) performance of the thin film devices composed of the TTF-metal complex (TTF = tetrathiafulvalene) where TTF moieties coordinate to a paramagnetic metal ions such as Cu(II) ion, new derivatives of the TTF-metal complex were synthesized and the device performance was improved. We also developed an air-stable FET device based on salphen complexes which are non-TTF type metal complex. We succeeded in the development new TTF-ligands capable for coordination to paramagnetic metal ions with much higher spin multiplicity, and found a cubic complex with ferromagnetic interaction between metal ions and a one-dimensional tubular complex with a hydrogen bond networ