Conditions for the formation of nanoclusters during the preparation of nanostuctured films of polycrystalline silicon doped with germanium

Проведены исследования топографии поверхности, кристаллической структуры пленок, поликристаллического кремния, легированного германием, полученных разложением смеси моносилан – моногерман – водород. Изменение структуры Ge и SiGe-кластеров анализировалось на основании данных спектроскопии комбинационного рассеяния света. Также проанализированы зависимости роста пленок от полного давления в реакторе и парциального давления моносилана