Add to ORKG采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好
超晶格纳米量级的层状结构把声学声子转变为超晶格特有的所谓折迭声学声子,使得通常体材料中非光活性的声学声子成为光活性的,从而可用光谱方法对它进行研究,由于GaAs/AlAs超晶格中折迭声学声子的散射截面...
报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性。单元器件的最小维持功耗小于30μW。使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于8...
利用分子束外延技术，在GaAs两个(113)晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温PL谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效就和一维量子线在上述结构中的存在
报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率...
用X射线运动学的多层膜干涉理论,模拟计算了AlGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线.提出了一种具有整数分子层的界面过度层理论模型,并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的源移,过渡层对超晶格卫...
研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证, 两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变...
报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(...
用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况...
报导GaAs/AlGaAs谐振腔增强型(RCE)光探测器的实验研究结果,并对器件的特性进行了理论分析。通过实验验证了RCE器件谐振腔两个镜面的反射率随着波长的变化以及器件分层结构折射率差二者对器件性能...
本文报道国产质子轰击条形GaAs/AIGaAs DH多模激光器的增益宽度、象散因子和线宽的实验测量结果。发现此类半导体激光器的增益宽度均是几十埃,象散因子都小于3,线宽均大于10GHz。对此类半导体激...
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了In...
制度:新 ; 文部省報告番号:乙867号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1991/12/5 ; 早大学位記番号:新1762 ; 理工学図書館請求番号:1504本文PDFは平成22年度国...
利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用
首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样...
利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长...
超晶格纳米量级的层状结构把声学声子转变为超晶格特有的所谓折迭声学声子,使得通常体材料中非光活性的声学声子成为光活性的,从而可用光谱方法对它进行研究,由于GaAs/AlAs超晶格中折迭声学声子的散射截面...
报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性。单元器件的最小维持功耗小于30μW。使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于8...
利用分子束外延技术，在GaAs两个(113)晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温PL谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效就和一维量子线在上述结构中的存在
报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率...
用X射线运动学的多层膜干涉理论,模拟计算了AlGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线.提出了一种具有整数分子层的界面过度层理论模型,并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的源移,过渡层对超晶格卫...
研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证, 两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变...
报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(...
用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况...
报导GaAs/AlGaAs谐振腔增强型(RCE)光探测器的实验研究结果,并对器件的特性进行了理论分析。通过实验验证了RCE器件谐振腔两个镜面的反射率随着波长的变化以及器件分层结构折射率差二者对器件性能...
本文报道国产质子轰击条形GaAs/AIGaAs DH多模激光器的增益宽度、象散因子和线宽的实验测量结果。发现此类半导体激光器的增益宽度均是几十埃,象散因子都小于3,线宽均大于10GHz。对此类半导体激...
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了In...
制度:新 ; 文部省報告番号:乙867号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1991/12/5 ; 早大学位記番号:新1762 ; 理工学図書館請求番号:1504本文PDFは平成22年度国...
利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用
首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样...
利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长...
超晶格纳米量级的层状结构把声学声子转变为超晶格特有的所谓折迭声学声子,使得通常体材料中非光活性的声学声子成为光活性的,从而可用光谱方法对它进行研究,由于GaAs/AlAs超晶格中折迭声学声子的散射截面...
报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性。单元器件的最小维持功耗小于30μW。使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于8...
利用分子束外延技术，在GaAs两个(113)晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温PL谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效就和一维量子线在上述结构中的存在