Add to ORKG利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAS上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～10~(-6)Ω·cm~2.接触层的表面光滑、界面平整.利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SLMS)揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
GaAs 的离子注入已被广泛地应用在半导体器件制作中。由于 GaAs 电子有效质量只是 Si 的7%,而且它的能带间隙比 Si 要宽,因而它被广泛地应用在高速集成电路、光电器件、激光器件中。
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1358号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2633 ; 理工学図書館請求番号:2214t...
运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的...
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现...
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
基于 AFM 电场诱导的方法成功地在硅掺杂 n~+型 GaAs(100)和锌掺杂 p 型 GaAs(100)表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形,最小的纳米结构约15nm,并定性地考察了 GaAs...
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555t...
我们利用光学衍射仪对离子注入后GaAs中晶态区与非晶态区界面的高分辨晶格象进行了分析。得到了界面附近结构变化的初步结果。由非晶态区到晶态区存在如下五个区域:非晶区;晶核与低维有序区;多晶区;单晶畸变区...
用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K...
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
GaAs 的离子注入已被广泛地应用在半导体器件制作中。由于 GaAs 电子有效质量只是 Si 的7%,而且它的能带间隙比 Si 要宽,因而它被广泛地应用在高速集成电路、光电器件、激光器件中。
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1358号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2633 ; 理工学図書館請求番号:2214t...
运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的...
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现...
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
基于 AFM 电场诱导的方法成功地在硅掺杂 n~+型 GaAs(100)和锌掺杂 p 型 GaAs(100)表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形,最小的纳米结构约15nm,并定性地考察了 GaAs...
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555t...
我们利用光学衍射仪对离子注入后GaAs中晶态区与非晶态区界面的高分辨晶格象进行了分析。得到了界面附近结构变化的初步结果。由非晶态区到晶态区存在如下五个区域:非晶区;晶核与低维有序区;多晶区;单晶畸变区...
用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K...
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
GaAs 的离子注入已被广泛地应用在半导体器件制作中。由于 GaAs 电子有效质量只是 Si 的7%,而且它的能带间隙比 Si 要宽,因而它被广泛地应用在高速集成电路、光电器件、激光器件中。
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1358号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2633 ; 理工学図書館請求番号:2214t...