Add to ORKG报道了InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12～150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交迭、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程
分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现...
利用光热电离谱技术研究了4.5K下高纯n-GaAs外延材料的远红外光电导响应谱。给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质。实验结果表明本所高纯GaAs组...
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度...
报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于In...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构
在有效质量近似条件下研究了垂直耦合的自组织InAs/GaAs量子点的激子态.在绝热近似条件下,采用传递矩阵方法计算了电子和空穴的能谱.通过哈密顿量矩阵的对角化,对电子和空穴间的库仑相互作用进行了精确处...
在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa...
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长...
结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我...
应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,...
分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现...
利用光热电离谱技术研究了4.5K下高纯n-GaAs外延材料的远红外光电导响应谱。给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质。实验结果表明本所高纯GaAs组...
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
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报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
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结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我...
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