Add to ORKG采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入...
采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明...
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si(111)上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重...
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入...
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早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si(111)上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重...
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
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使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
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使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...