Add to ORKG利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构。透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子点的光 荧光谱线发生红移。这表明 由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生。光荧光谱线半高宽随温度的反常变化说明载流子还会在邻近柱中隧穿
利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)...
Ⅲ—Ⅴ氮化物是直接带隙半导体,带宽可以覆盖从1.9eV到6.2eV的范围,适合于制作短波长LEDs和LDs。由于没有适当的衬底材料,通常在Al_2O_3或GaAs上生长GaN时多采用氮化步骤。Al_2...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
采用分子束外延(MBE)技术，研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有...
该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子...
采用了以解理面为衍射基面,直接测量水平弛豫的方法测量了In_xGa_(1-x)As(衬底为GaAs,X-0.1)外延层的应变及其弛豫状态。在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的...
用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的。激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和InAs层厚度有关。利用有效质量近似，计...
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs激光器的深中心。结果表明,在激光器的n-AlGaAs层里除众所周知的DX中...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(...
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度...
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140/cm~2,激发波长在980nm左右.通过脊型波导结构的制备,...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附...
利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)...
Ⅲ—Ⅴ氮化物是直接带隙半导体,带宽可以覆盖从1.9eV到6.2eV的范围,适合于制作短波长LEDs和LDs。由于没有适当的衬底材料,通常在Al_2O_3或GaAs上生长GaN时多采用氮化步骤。Al_2...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
采用分子束外延(MBE)技术，研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有...
该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子...
采用了以解理面为衍射基面,直接测量水平弛豫的方法测量了In_xGa_(1-x)As(衬底为GaAs,X-0.1)外延层的应变及其弛豫状态。在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的...
用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的。激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和InAs层厚度有关。利用有效质量近似，计...
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs激光器的深中心。结果表明,在激光器的n-AlGaAs层里除众所周知的DX中...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(...
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
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利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140/cm~2,激发波长在980nm左右.通过脊型波导结构的制备,...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附...
利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)...
Ⅲ—Ⅴ氮化物是直接带隙半导体,带宽可以覆盖从1.9eV到6.2eV的范围,适合于制作短波长LEDs和LDs。由于没有适当的衬底材料,通常在Al_2O_3或GaAs上生长GaN时多采用氮化步骤。Al_2...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...