Add to ORKG报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透射电子显微镜分析表明在这种结构中出了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为InAs材料的俘获陷阱。随着停顿时间加长，InAs岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新...
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长...
利用GaAs量子阱中Γ谷速缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ－X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C－V特性上...
本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明，这种离子源性能良好。对几种GaA...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,...
成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现...
对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验，并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻，发现有源区温度随老化时间明显上升，而热阻没有明显变化，同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特...
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新...
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长...
利用GaAs量子阱中Γ谷速缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ－X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C－V特性上...
本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明，这种离子源性能良好。对几种GaA...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,...
成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现...
对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验，并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻，发现有源区温度随老化时间明显上升，而热阻没有明显变化，同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特...
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新...
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响...