Add to ORKG利用深能级瞬态谱(DLTS）研究分子束外延n-Ge_0.2)Si_(0.8)/Si应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在E_C=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显 的移动，深能级位置从E_C=0.21eV变化到E_C=0.276eV,我们认为是内应力引起的。取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好。在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法
通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si(111)上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重...
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN...
用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeS/i/Si应变超晶格性质的影响，观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明...
给出了分析GeSi/Si应变异质结中应变分布和弯曲的力学模型。该模型将外延层和衬底中的应变分为失配应变和弯曲应变,在假设整个异质结构均匀弯曲的情况下,根据力学平衡条件得到了计算应变异质结构应变分布和弯...
通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表
采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布，光场限制因子和有效吸收系数的影响，并给出了优化设计的结果
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有...
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入...
报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量...
采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...
通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si(111)上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重...
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN...
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给出了分析GeSi/Si应变异质结中应变分布和弯曲的力学模型。该模型将外延层和衬底中的应变分为失配应变和弯曲应变,在假设整个异质结构均匀弯曲的情况下,根据力学平衡条件得到了计算应变异质结构应变分布和弯...
通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表
采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布，光场限制因子和有效吸收系数的影响，并给出了优化设计的结果
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,...
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采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入...
报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量...
采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明...
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回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...
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