Add to ORKG在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释
动态色散补偿是长距离、高速密集波分复用光纤传输系统的关键问题之一。本文给出了两种反馈方式的非对称马赫曾德尔(MZI)光全通滤波器结构:一种是基于光延迟线反馈,另一种是基于光环形谐振腔反馈,如图1所示,...
回顾了加速器的阻抗模型 ,讨论了空间电荷阻抗和管道壁阻的高频衰减特性 .从Vlasov Maxwell方程出发提出了当存在类似空间电荷阻抗时 ,在任意外场、任意分布下 ,束团定态分布的一般解法 ,并以...
利用一维和二维核磁共振技术对从鱼塘水华样品中提取的一种毒素进行了研究，结合其它分析手段，确定了该毒素即为普通环七肽肝毒素Ｍｉｃｒｏｃｙｓｔｉｎ－ＬＲ（ＭＣＹＳＴ－ＬＲ），测定了该环七肽的环上氨基酸残基...
报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(...
采用低温荧光光谱测试方法，研究了MBE生长的轻掺硅GaAs材料的杂质特性，并结合Hall测量结果，讨论了MBE关键生长条件V/II束流比等对Si在GaAs中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Si在GaA...
利用GaAs衬底上的InAa薄膜制备的Hall器件，具有灵敏度高(在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是GaAs Hall器件的1.5倍)，不等位电压温漂小等优点。可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中...
该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子...
用MBE方法制备的PHEMT微结构材料，其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×10~(12)cm~(-2)之间，室温霍耳迁移率在5000-6500cm~2·V~(-1)·s~(-1)之间。制...
在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂...
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A/cm~2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大...
利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构。透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子点的光 荧光谱线发生红移。这表明 由于量...
根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟...
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140/cm~2,激发波长在980nm左右.通过脊型波导结构的制备,...
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs激光器的深中心。结果表明,在激光器的n-AlGaAs层里除众所周知的DX中...
本文介绍了3cm微波透射仪用来测量激波管中电子密度的工作原理,给出了φ800mm激波管中电子密度随M数的变化规律,测量数据与其他测量方法所得结果是一致的,与理论计算的预计也是一致的
动态色散补偿是长距离、高速密集波分复用光纤传输系统的关键问题之一。本文给出了两种反馈方式的非对称马赫曾德尔(MZI)光全通滤波器结构:一种是基于光延迟线反馈,另一种是基于光环形谐振腔反馈,如图1所示,...
回顾了加速器的阻抗模型 ,讨论了空间电荷阻抗和管道壁阻的高频衰减特性 .从Vlasov Maxwell方程出发提出了当存在类似空间电荷阻抗时 ,在任意外场、任意分布下 ,束团定态分布的一般解法 ,并以...
利用一维和二维核磁共振技术对从鱼塘水华样品中提取的一种毒素进行了研究，结合其它分析手段，确定了该毒素即为普通环七肽肝毒素Ｍｉｃｒｏｃｙｓｔｉｎ－ＬＲ（ＭＣＹＳＴ－ＬＲ），测定了该环七肽的环上氨基酸残基...
报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(...
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利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A/cm~2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大...
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