Add to ORKG该项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察。在ZnT/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积
通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合，作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶征亚表面损伤层厚度D的关系曲线...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1529号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2001/3/15 ; 早大学位記番号:新3118 ; 理工学図書館請求番号:2550本文PDFは平成22年度...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的...
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
Ⅲ—Ⅴ氮化物是直接带隙半导体,带宽可以覆盖从1.9eV到6.2eV的范围,适合于制作短波长LEDs和LDs。由于没有适当的衬底材料,通常在Al_2O_3或GaAs上生长GaN时多采用氮化步骤。Al_2...
利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的，通过实验表明...
在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1358号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2633 ; 理工学図書館請求番号:2214t...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合，作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶征亚表面损伤层厚度D的关系曲线...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1529号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2001/3/15 ; 早大学位記番号:新3118 ; 理工学図書館請求番号:2550本文PDFは平成22年度...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的...
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
Ⅲ—Ⅴ氮化物是直接带隙半导体,带宽可以覆盖从1.9eV到6.2eV的范围,适合于制作短波长LEDs和LDs。由于没有适当的衬底材料,通常在Al_2O_3或GaAs上生长GaN时多采用氮化步骤。Al_2...
利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的，通过实验表明...
在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1358号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2633 ; 理工学図書館請求番号:2214t...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合，作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶征亚表面损伤层厚度D的关系曲线...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1529号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2001/3/15 ; 早大学位記番号:新3118 ; 理工学図書館請求番号:2550本文PDFは平成22年度...