Add to ORKG将GaAs/AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管(FET)混合集成,构成FET-SEED灵巧像元光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件(SEED),光源为量子阱半导体激光器。光输入信号对光输出信号有明显的调制作用,可以导致光输出信号较大的变化
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555t...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
分析计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析, 用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测...
制度:新 ; 文部省報告番号:乙867号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1991/12/5 ; 早大学位記番号:新1762 ; 理工学図書館請求番号:1504本文PDFは平成22年度国...
报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率...
报导GaAs/AlGaAs谐振腔增强型(RCE)光探测器的实验研究结果,并对器件的特性进行了理论分析。通过实验验证了RCE器件谐振腔两个镜面的反射率随着波长的变化以及器件分层结构折射率差二者对器件性能...
报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(...
用X射线运动学的多层膜干涉理论,模拟计算了AlGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线.提出了一种具有整数分子层的界面过度层理论模型,并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的源移,过渡层对超晶格卫...
研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证, 两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变...
采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的...
用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况...
讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/...
利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555t...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
分析计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析, 用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测...
制度:新 ; 文部省報告番号:乙867号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1991/12/5 ; 早大学位記番号:新1762 ; 理工学図書館請求番号:1504本文PDFは平成22年度国...
报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率...
报导GaAs/AlGaAs谐振腔增强型(RCE)光探测器的实验研究结果,并对器件的特性进行了理论分析。通过实验验证了RCE器件谐振腔两个镜面的反射率随着波长的变化以及器件分层结构折射率差二者对器件性能...
报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(...
用X射线运动学的多层膜干涉理论,模拟计算了AlGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线.提出了一种具有整数分子层的界面过度层理论模型,并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的源移,过渡层对超晶格卫...
研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证, 两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变...
采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的...
用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况...
讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/...
利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555t...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi