MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料

用MBE方法制备的PHEMT微结构材料，其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×10~(12)cm~(-2)之间，室温霍耳迁移率在5000-6500cm~2·V~(-1)·s~(-1)之间。制备的PHEMT器件，栅长为0.7μm的器件的直流特性：I_(dss)～280mA/mm,I_(max)～520-580mA/mm,g_m～320-400mS/mm,BV_(DS)>15V(I_(DS)=1mA/mm),BV_(GS)>10V,微波特性：P_0～600-900mW/mm,G～6-10dB,η_(add)～40-60%;栅长为0.4μm的器件的直流特性:I_(max)～800mA/mm,g_m>400mS/mm