Add to ORKGCMOS折叠预放电路的失凋是限制CMOS折叠结构A／D转换器实现高分辨率应用的主要原因之一．文中提出差分对的动态匹配技术改善了折叠预放电路的失调，从而为研制CMOS工艺中的高分辨率折叠结构A／D转换器提供了一种可行方案，并给出了MATLAB和电路仿真的实验结果
publisher分野：デバイス, 特許出願： 特願 平成11-350529[概要]静的な基板バイアス［V_<DD>' (＞V_<DD>), V_<SS>' (＜_V_<SS>)］を印加して, ソー...
本发明为一种以菊芋秆为原料，利用CMP法造纸制浆的方法。由该工艺制得的纸适用于胶版印刷纸、涂料原纸、书写纸、装饰纸等文化用纸的生产，其产品具有吨纸浆耗低、纸的平滑度高、光泽度好、表面细腻、强度高、适印...
本发明公开了一种土壤色谱柱的装填方法，采用5-15cm的不锈钢填充柱，柱径4.6-10mm，土壤液相色谱柱由0-60％重量的60-80目的担体(硅藻土)和40-100％重量的60-80目的土壤分次装填...
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法,通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度,提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺...
采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击...
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采...
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的...
本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法,其包括以下步骤：1.在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作；2.淀积钝化层保护所述集成电路部分；3.采用深槽刻蚀,在所述隔离槽内...
基于作者先前提出的时钟馈通补偿方式的开关电流存储单元及全差分总体结构,本文设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器.工作中采用TSMC 0.35μm CMOS数字电路工艺平台,在低电压工作下进行电路参数优化...
本实用新型公开了一种CMOS数字成像系统，包括有控制器、CMOS图像传感器、存储器和输入输出装置，所述存储器和输入输出装置与所述控制器连接，所述控制器还包括有图像处理芯片，该CMOS图像传感与图像处理...
设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路，其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器。它采用0.6μm CMOS工艺，可在自血的高阻外延片上使用MPW (multi-project wafer)进行...
本文研究并设计了一种固体微波锁相振荡源,采用中频鉴相,3cm波段锁相的方案,实现了从5MHz到3cm波段高频率稳定度的良好传递;文中给出了阶跃管倍频器、体效应振荡器、混频器及分频鉴相器的设计考虑;最后...
该文在低功耗技术和微处理器的设计中,做了以下的研究工作并得到创新性结果:分析了电路设计中实现低功耗的电路结构,如低信号摆幅电路,减小有效负载电容的电路,传输晶体管逻辑电路等.微得理器设计中,消耗在时钟...
针对无线视频通讯H.264编码器关键技术VBSME VLSI实现,提出了一种低复杂度结构,该结构由宏块输入缓存器,17×16蛇形扫描寄存器阵列,8×8PE阵列,4×4SAD加法树和四步可变块运动矢量生...
[[abstract]]本創作提出一CMOS電壓位準轉換電路,用以將一第一信號轉換為一第二信號,該電壓位準轉換電路係由一反相器(INV)、一控制電路(1)、一回授電晶體 (2)、一轉態驅動反相器(3)...
publisher分野：デバイス, 特許出願： 特願 平成11-350529[概要]静的な基板バイアス［V_<DD>' (＞V_<DD>), V_<SS>' (＜_V_<SS>)］を印加して, ソー...
本发明为一种以菊芋秆为原料，利用CMP法造纸制浆的方法。由该工艺制得的纸适用于胶版印刷纸、涂料原纸、书写纸、装饰纸等文化用纸的生产，其产品具有吨纸浆耗低、纸的平滑度高、光泽度好、表面细腻、强度高、适印...
本发明公开了一种土壤色谱柱的装填方法，采用5-15cm的不锈钢填充柱，柱径4.6-10mm，土壤液相色谱柱由0-60％重量的60-80目的担体(硅藻土)和40-100％重量的60-80目的土壤分次装填...
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法,通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度,提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺...
采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击...
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采...
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的...
本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法,其包括以下步骤：1.在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作；2.淀积钝化层保护所述集成电路部分；3.采用深槽刻蚀,在所述隔离槽内...
基于作者先前提出的时钟馈通补偿方式的开关电流存储单元及全差分总体结构,本文设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器.工作中采用TSMC 0.35μm CMOS数字电路工艺平台,在低电压工作下进行电路参数优化...
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设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路，其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器。它采用0.6μm CMOS工艺，可在自血的高阻外延片上使用MPW (multi-project wafer)进行...
本文研究并设计了一种固体微波锁相振荡源,采用中频鉴相,3cm波段锁相的方案,实现了从5MHz到3cm波段高频率稳定度的良好传递;文中给出了阶跃管倍频器、体效应振荡器、混频器及分频鉴相器的设计考虑;最后...
该文在低功耗技术和微处理器的设计中,做了以下的研究工作并得到创新性结果:分析了电路设计中实现低功耗的电路结构,如低信号摆幅电路,减小有效负载电容的电路,传输晶体管逻辑电路等.微得理器设计中,消耗在时钟...
针对无线视频通讯H.264编码器关键技术VBSME VLSI实现,提出了一种低复杂度结构,该结构由宏块输入缓存器,17×16蛇形扫描寄存器阵列,8×8PE阵列,4×4SAD加法树和四步可变块运动矢量生...
[[abstract]]本創作提出一CMOS電壓位準轉換電路,用以將一第一信號轉換為一第二信號,該電壓位準轉換電路係由一反相器(INV)、一控制電路(1)、一回授電晶體 (2)、一轉態驅動反相器(3)...
publisher分野：デバイス, 特許出願： 特願 平成11-350529[概要]静的な基板バイアス［V_<DD>' (＞V_<DD>), V_<SS>' (＜_V_<SS>)］を印加して, ソー...
本发明为一种以菊芋秆为原料，利用CMP法造纸制浆的方法。由该工艺制得的纸适用于胶版印刷纸、涂料原纸、书写纸、装饰纸等文化用纸的生产，其产品具有吨纸浆耗低、纸的平滑度高、光泽度好、表面细腻、强度高、适印...
本发明公开了一种土壤色谱柱的装填方法，采用5-15cm的不锈钢填充柱，柱径4.6-10mm，土壤液相色谱柱由0-60％重量的60-80目的担体(硅藻土)和40-100％重量的60-80目的土壤分次装填...