Add to ORKG采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着半导体的属性,磁性-非磁性p-n结具有整流特性,但没有观察到明显的磁电阻效应
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状 ,并对该领域的研究作了展
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm.利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的...
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4,Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的原理、膜的性质和a-Si太阳电池的光伏特性,报道了a-Si太阳电池的制备技术和发展现状,...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状 ,并对该领域的研究作了展
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm.利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的...
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4,Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的原理、膜的性质和a-Si太阳电池的光伏特性,报道了a-Si太阳电池的制备技术和发展现状,...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状 ,并对该领域的研究作了展
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...