Add to ORKG采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_2中O1s的束缚能之间,Si2p的XPS谱分裂为两个峰,其中一个是单质Si的,另一个介于单质Si和硅化物之间,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间,说明Gd_xSi_(1-x)形成了无定形结构
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对 5keVB离子预注入后的n -型单晶Si( 1 0 0 )进行了辐照 ,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化 .结果表明 ,高剂量Si,...
基于有限差分法开发了一个Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管(Ge_xSi_(1-x)HBT)模拟器GSHBT.通过解释一组输入语句，GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的Ge_xSi_(1-...
基于荷能离子与固体相互作用特点 ,提出了一种新的制备光致发光材料的方法——高能重离子辐照 .用这种方法研究了 Si O2 薄膜的光致发光特性 ,发现高能 84 Kr和 4 0 Ar离子辐照可在注碳Si...
超晶格中出现折迭声学声子是多层结构超晶格的直接反映,从它的频率位置和散射强度中,我们可以得到超晶格中有关周期及界面的信息.用Rytov公式,可以折迭声学声子的频率,并且理论结果和实验符合得相当好。它的...
本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 ...
利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%~1.0%的Si1?xCx合金, 研究了不同注入剂量下Si1?xCx合金的形成及其在退火过程中的稳定性. 如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量...
室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子，利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征，如果注入C原子的浓度小于0.6%，在...
用选支连续CO_2激光器为光源,首次对x=0.2 组分的n型Pb_(1-x)Sn_xTe 单晶进行了法拉第构象下圆偏振光的磁光反射光谱的测量.样品温度在10—50K范围内,磁光反射谱的振荡峰值对应L_...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及...
设X_(i1),X_(i2)……,X(in),是X_i的随机样本(i=1,2,…,m),且这些样本间是相互独立的,又设X_i～N(θ_i,δ_i~2)(θ_i与δ_i未知),且对某一常数c有P(X_1...
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶。在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的X射线...
本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 ...
大规模集成电路(LSI)中,在芯片周界的环形区域内,环形通道布线完成线网与压焊块的自动连接与压焊块的最终定位.基于环形通道区的特征与线网路径约束关系的分析,本文提出一个新的环形通道自动全局布线方法.文...
介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge_xSi_(1-x)/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布...
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对 5keVB离子预注入后的n -型单晶Si( 1 0 0 )进行了辐照 ,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化 .结果表明 ,高剂量Si,...
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