Add to ORKG简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第8378号工博第1943号新制||工||1174(附属図書館)UT51-2000-F282京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻(主査)教授 藤田 茂夫...
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第21270号工博第4498号新制||工||1700(附属図書館)京都大学大学院工学研究科電子工学専攻(主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川...
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)...
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击...
<span>目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时...
研究了GaN肖特基结构(n~--GaN /n~+-GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理.模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且可以极大地减...
本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Ha...
京都大学0048新制・課程博士博士(人間・環境学)甲第10545号人博第214号15||169(吉田南総合図書館)新制||人||54(附属図書館)UT51-2004-C97京都大学大学院人間・環境学研...
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第8378号工博第1943号新制||工||1174(附属図書館)UT51-2000-F282京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻(主査)教授 藤田 茂夫...
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第21270号工博第4498号新制||工||1700(附属図書館)京都大学大学院工学研究科電子工学専攻(主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川...
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)...
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击...
<span>目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时...
研究了GaN肖特基结构(n~--GaN /n~+-GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理.模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且可以极大地减...
本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Ha...
京都大学0048新制・課程博士博士(人間・環境学)甲第10545号人博第214号15||169(吉田南総合図書館)新制||人||54(附属図書館)UT51-2004-C97京都大学大学院人間・環境学研...
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第8378号工博第1943号新制||工||1174(附属図書館)UT51-2000-F282京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻(主査)教授 藤田 茂夫...
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆...