Add to ORKG采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２...
该文主要介绍作者有关GaN薄膜材料缺陷的研究,主要是线形位错方面的,并讨论了线形位错对其材料性质影响方式.GaN材料中存在着大量的缺陷,但其光、电等方面的性能仍保持良好,因此缺陷在GaN中所起的作用引...
GaN作为一种重要的半导体材料,由于它在蓝光或近紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注。纳米材料(纳米线、量子点、纳米棒等)由于它们本身作为量子限制系统展现一系列崭新的物理性质,而成为低维...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用...
GaN纳米颗粒,GaN纳米线等低维纳米结构材料因在三维或两维方向上同时维度受到限制.更容易呈现出一些不同于常规体材料的独特性能,在未来的纳米光电器件领域有着诱人的应用前景,引起研究人员的广泛关注.但目...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再...
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降...
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，...
GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题没有得到解决.该论文集中于氮...
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２...
该文主要介绍作者有关GaN薄膜材料缺陷的研究,主要是线形位错方面的,并讨论了线形位错对其材料性质影响方式.GaN材料中存在着大量的缺陷,但其光、电等方面的性能仍保持良好,因此缺陷在GaN中所起的作用引...
GaN作为一种重要的半导体材料,由于它在蓝光或近紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注。纳米材料(纳米线、量子点、纳米棒等)由于它们本身作为量子限制系统展现一系列崭新的物理性质,而成为低维...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用...
GaN纳米颗粒,GaN纳米线等低维纳米结构材料因在三维或两维方向上同时维度受到限制.更容易呈现出一些不同于常规体材料的独特性能,在未来的纳米光电器件领域有着诱人的应用前景,引起研究人员的广泛关注.但目...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再...
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降...
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，...
GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题没有得到解决.该论文集中于氮...
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２...
该文主要介绍作者有关GaN薄膜材料缺陷的研究,主要是线形位错方面的,并讨论了线形位错对其材料性质影响方式.GaN材料中存在着大量的缺陷,但其光、电等方面的性能仍保持良好,因此缺陷在GaN中所起的作用引...