Add to ORKG为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V
由于在数字、图象信息的显示和处理、高密度光存储、水下通信、高温大功率器件等领域的广阔应用前景，GaN系材料已经当今世界各国科技和产业界的关注热点。随着GaN在蓝光发光二极管、激光二极管不断取得进展，如...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
低温下，在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层，并对其表面形貌进行了细致的观察，发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温...
本文详细介绍了MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光发射二级管(LED)的发射波长,电流/电压,发光强度,反向漏电等性能的稳定性问题的实验研究.结果表明,这些参数在室温长时间使用下,都...
AlGaN/GaN异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展.高速和高功率的AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)的研究也得到很大的重视.AlGaN薄层中的Al组分是决定此类器件的设计和性能的...
用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓(GaN)外延材料。未掺杂GaN显n型, 室温下(300K)背景电子浓度为1.6×10~1~7cm~-~3,电子迁移率为360cm~2/V.s。在195K...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第8378号工博第1943号新制||工||1174(附属図書館)UT51-2000-F282京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻(主査)教授 藤田 茂夫...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
分别用稀盐酸、王水以及(NH_4)_2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的...
利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质蛄，辐照剂量分别为1×1015／cm2和5×1015／cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐ZI(剂量...
由于在数字、图象信息的显示和处理、高密度光存储、水下通信、高温大功率器件等领域的广阔应用前景，GaN系材料已经当今世界各国科技和产业界的关注热点。随着GaN在蓝光发光二极管、激光二极管不断取得进展，如...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
低温下，在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层，并对其表面形貌进行了细致的观察，发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温...
本文详细介绍了MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光发射二级管(LED)的发射波长,电流/电压,发光强度,反向漏电等性能的稳定性问题的实验研究.结果表明,这些参数在室温长时间使用下,都...
AlGaN/GaN异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展.高速和高功率的AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)的研究也得到很大的重视.AlGaN薄层中的Al组分是决定此类器件的设计和性能的...
用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓(GaN)外延材料。未掺杂GaN显n型, 室温下(300K)背景电子浓度为1.6×10~1~7cm~-~3,电子迁移率为360cm~2/V.s。在195K...
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(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第8378号工博第1943号新制||工||1174(附属図書館)UT51-2000-F282京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻(主査)教授 藤田 茂夫...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
分别用稀盐酸、王水以及(NH_4)_2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的...
利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质蛄，辐照剂量分别为1×1015／cm2和5×1015／cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐ZI(剂量...
由于在数字、图象信息的显示和处理、高密度光存储、水下通信、高温大功率器件等领域的广阔应用前景，GaN系材料已经当今世界各国科技和产业界的关注热点。随着GaN在蓝光发光二极管、激光二极管不断取得进展，如...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
低温下，在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层，并对其表面形貌进行了细致的观察，发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温...
