Add to ORKG近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍，并展望了未来发展方向
通过对广西义务教育资源的总量以及在区域内部配置状况进行了实证分析,指出广西义务教育的资源不论在总量上还是生均资源拥有量上都居于全国的末列,而在区域内部更存在着很大的不均衡。在实证研究的基础上,进一步分...
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。
在对外汉语教学活动中广泛开展行动研究,有利于促进教师的专业化发展,实现教学与研究的双促进,推动我国对外汉语教育的国际化进程。但行动研究具有"平民化"特性,教师在研究中应避免走入误区。广西高等教育“十一...
我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型探测器.其中...
AlN材料凭借其带隙宽(～6.1eV)、热稳定性以及热传导性好等特点在许多领域具有重要的用途,尤其是发展紫外光源和紫外探测器的绝佳材料,因此研究AlN薄膜的结构和光学性质尤为重要。尽管近些年,AlN的...
该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气...
氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一.浅杂质(包括P型和n型的)离子注入GaN是研究GaN的主要课题之一.本文研究注碳(C)GaN经不同温度退火后的Raman和Hal...
采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联...
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键...
通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的A...
提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,...
对GaAs/AlGaAs量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析,提出了实现20°~30°垂直发散角的有效途径,并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度...
通过对广西义务教育资源的总量以及在区域内部配置状况进行了实证分析,指出广西义务教育的资源不论在总量上还是生均资源拥有量上都居于全国的末列,而在区域内部更存在着很大的不均衡。在实证研究的基础上,进一步分...
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在对外汉语教学活动中广泛开展行动研究,有利于促进教师的专业化发展,实现教学与研究的双促进,推动我国对外汉语教育的国际化进程。但行动研究具有"平民化"特性,教师在研究中应避免走入误区。广西高等教育“十一...
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AlN材料凭借其带隙宽(～6.1eV)、热稳定性以及热传导性好等特点在许多领域具有重要的用途,尤其是发展紫外光源和紫外探测器的绝佳材料,因此研究AlN薄膜的结构和光学性质尤为重要。尽管近些年,AlN的...
该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气...
氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一.浅杂质(包括P型和n型的)离子注入GaN是研究GaN的主要课题之一.本文研究注碳(C)GaN经不同温度退火后的Raman和Hal...
采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联...
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键...
通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的A...
提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,...
对GaAs/AlGaAs量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析,提出了实现20°~30°垂直发散角的有效途径,并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度...
通过对广西义务教育资源的总量以及在区域内部配置状况进行了实证分析,指出广西义务教育的资源不论在总量上还是生均资源拥有量上都居于全国的末列,而在区域内部更存在着很大的不均衡。在实证研究的基础上,进一步分...
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在对外汉语教学活动中广泛开展行动研究,有利于促进教师的专业化发展,实现教学与研究的双促进,推动我国对外汉语教育的国际化进程。但行动研究具有"平民化"特性,教师在研究中应避免走入误区。广西高等教育“十一...