Add to ORKG利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算得到其寿命分别为320,160和75 min,阴极稳定性随光照强度的增加而降低,测试了只有光照(100 lx)而无光电流流过阴极时阴极的寿命为100 min.通过比较发现光照比光电流对阴极稳定性的影响更大.还测试了阴极在33 lx光照下量子效率曲线随时间的衰减,发现阴极低能光子的量子效率下降速度更快,导致量子效率曲线形状不断发生变化.基于修正后的反射式阴极量子效率公式对这种变化进行了理论分析,发现与光电子的谷间散射和阴极衰减过程中表面势垒形状的变化有关
現在の情報通信は光ファイバ通信によって支えられている。一般宅へ直接光ファイバ回線を引き込むFTTH（Fiber To The Home）という言葉も一般化しつつある。FTTHの契約者数は年々増加してお...
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
在15K下测量了InAs/GaAs亚单层结构的静压光致发光，静压范围为0～8GPa.常压下InAs层中重空穴激子的发光峰随InAs层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小。其压力行为与GaAs基体...
材料的可控合成是研究材料的结构与性能的重要前提。本研究采用金颗粒催化的化学气相沉积法合成GaAs半导体纳米线,研究了金颗粒催化剂中Ga元素的含量与GaAs纳米线结构与性能之间的关系。结果表明直径小于4...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现...
对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验，并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻，发现有源区温度随老化时间明显上升，而热阻没有明显变化，同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特...
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明，这种离子源性能良好。对几种GaA...
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下...
研究了InGaAs/GaAs量子链的稳态和瞬态光谱特性,特别是载流子的动力学过程.实验发现荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,荧光寿命随发光能量的增加而减小;实验还发现,当激发功率较小时,荧光寿命随激发...
我们利用光学衍射仪对离子注入后GaAs中晶态区与非晶态区界面的高分辨晶格象进行了分析。得到了界面附近结构变化的初步结果。由非晶态区到晶态区存在如下五个区域:非晶区;晶核与低维有序区;多晶区;单晶畸变区...
研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(E_(Г1))和第一激发态(E_(Г_2))能级之间。实验结果证明,这种超晶格...
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研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
在15K下测量了InAs/GaAs亚单层结构的静压光致发光，静压范围为0～8GPa.常压下InAs层中重空穴激子的发光峰随InAs层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小。其压力行为与GaAs基体...
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