Preparación y caracterización óptica de películas delgadas de CuIn1-xGaxSe2

CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) thin films with chemical concentrations varying between x=0 and x=1 were grown through a chemical reaction of the precursor species, which were evaporated sequentially in a process of two and three stages. The films will be used subsequently as absorber layer in solar cells. Special emphasis was devoted in studying the optical properties, which give information of the optical gap Eg and of the absorption coefficient a, which are key parameters for dimensioning of solar cells. These parameters were determined from transmittance measurements and theoretical calculations carried out using a method developed by us on the basis of the Swanepoel procedure.Películas delgadas de CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) con concentraciones químicas variando entre x=0 y x=1, fueron crecidas a través de una reacción química de las especies precursoras evaporadas se-cuencialmente en un proceso de dos y tres etapas, con el propósito de usarlas posteriormente como capa absorbente en celdas solares. Se hizo especial énfasis en el estudio de propiedades ópticas que dan información del gap óptico Eg y del coeficiente de absorción a, parámetros que son im-portantes en el dimensionamiento de celdas solares. Estos parámetros fueron determinados a través de medidas de la transmitancia espectral y de cálculos teóricos realizados usando un método des-arrollado por nosotros con base en el procedimiento de Swanepoel