Estructura electrónica del molibdeno y vanadio usando método tight-binding

The bands of energy of the molybdenum were calculated and of the vanadium using the method of approach tight-binding through different roads of the first area of Brillouin. The state densities were also calculated (DOS) of the mentioned elements. Differences of the densities of states are observed for both materials near the level of Fermi and the contribution of free electrons is observed by the orbital d. The method uses the approach of two centers like interaction parameters among neighboring atoms and it provides results that they agree quite well with the obtained results using other methods.Se calcularon las bandas de energía del molibdeno y del vanadio usando el método de aproximación tight-binding a través de diferentes caminos de la primera zona de Brillouin. También se calcularon las densidades de estado (DOS) de los elementos mencionados. Se observan diferencias de las densidades de estados para ambos materiales cerca del nivel de Fermi y se observa la aportación de electrones libres por los orbitales d. El método utiliza la aproximación de dos centros como parámetros de interacción entre átomos vecinos y proporciona resultados que concuerdan bastante bien con los resultados obtenidos empleando otros métodos