Estudio de las propiedades de capas de gaas dopadas tipo n mediante espectroscopía raman y catodoluminiscencia

Se presenta el estudio de capas de GaAs dopadas con Si. Las capas fueron estudiadas por medio de las técnicas de espectroscopía micro-Raman (µR) y Catodoluminiscencia (CL). La técnica de µR permitió determinar la concentración y movilidad de los portadores de carga. Con CL se estudia-ron perfiles de dopado en las muestras y se determinó la presencia de picos de emisión con difer-entes longitudes de onda que suponen la formación de varios complejos de silicio en las capas dopadas. Mediante el estudio de los espectros de CL en las capas dopadas tipo n, variando la tem-peratura, fue posible determinar la energía de activación de dos de los centros emisores presentes. El comportamiento de la luminiscencia asociada con los complejos de silicio se analiza usando el modelo de coordenadas de configuración