Estructura, propiedades electrónicas y espectroscopía del HfSe₂ en condiciones extremas

Aunque tradicionalmente se ha explorado con mayor detalle el efecto de la temperatura, el uso de la alta presión se ha consolidado como una herramienta con un elevado potencial, que permite acceder a un régimen termodinámico donde las propiedades de los sistemas experimentan en muchas ocasiones cambios sorprendentes. A lo largo de esta Tesis Doctoral, prestaremos especial atención al uso de esta magnitud para analizar desde diferentes puntos de vista el comportamiento del HfSe2. Los principales aspectos que abordaremos sobre este material serán su estructura cristalográfica, estructura electrónica, y, por último, las vibraciones y dinámica de la red cristalina. De este modo, la memoria de esta Tesis está organizada de la siguiente forma: comienza con un capítulo donde se introduce la descriptiva general de los TMDs, y se contextualiza el uso de la alta presión como herramienta de interés para acceder al estudio de estos sólidos. Seguidamente, un capítulo dedicado a las técnicas y metodología empleadas durante el transcurso de esta Tesis. El siguiente capítulo constituirá un primer bloque de resultados donde se recoge la caracterización del HfSe2 a presión ambiente. A lo largo de este primer capítulo de resultados se discutirán con detalle las cuestiones relacionadas con la estructura cristalográfica, estructura electrónica y vibraciones del sólido que servirán de referencia y sentarán la base adecuada para el posterior estudio en condiciones extremas de presión. Asimismo, estos aspectos se abordan sistemáticamente en profundidad en los siguientes capítulos, enteramente dedicados a los resultados obtenidos del HfSe2 bajo presión. Por último, se resumirán las conclusiones más destacadas de este trabajo..