Preparation of metal-dielectric nanocomposites based on Sn + SiO2 and measuring their resistivity

Import 26/06/2013V této práci se věnuji přípravě nanoprášku oxidu křemičitého metodou top-down zahrnující mletí v kulovém mlýně, sedimentační separaci a lyofilizaci. Smícháním prášku SiO2 a cínu byly vytvořeny homogenní směsi o objemových podílech SiO2 74%, 80% a 85%. Byl vyroben kompozitní materiálu SiO2-Sn lisováním při tlaku 2,4 Gpa a následným zahřátím na 200 °C. Vzniklý výlisek byl metalograficky vybroušen na tvar penízku a na obě strany byla naprášena stříbrná vrstva silná 100nm pro lepší a reprezentativnější kontakt testovacích vodičů se vzorkem. Charakterizace teplotní závislosti rezistivity vzniklého kompozitního materiálu byla provedena čtyřvodičovou metodou v rozmezí teplot od -48 °C do 30 °C. Naměřený odpor se pohyboval v řádu jednotek ohmů a teplotní průběhy měly charakteristiky typické pro vodiče.The aim is top-down preparation of silicon dioxide nanopowder and mixing it with tin nanopowder in exact volume ratios, concretely 74%, 80% a 85% for SiO2. Then we pressed it with 2,4 Gpa and warmed it to 200 °C. The specimen was slicked to penny shape and thin silver film was applied on both sides for better and more representative measurement. We measured the resistance using four probe method in temperature range from -48 °C to 30 °C. Measured resistivity was sensationally low with conductor characteristic.516 - Institut fyzikyvýborn