Modélisation thermique en intégration de puissance

Un module d’électronique de puissance est constitué d’un substrat, d’éléments conducteurs (pistes, bondings, bumps…), de semi-conducteurs (diode, IGBT, MOS…), d’un encapsulant, et d’un boitier externe. Du fait de la circulation de courant, des pertes apparaissent se traduisant par une production d’énergie calorifique et donc un besoin de refroidissement. •Les nouveaux composants grand-gap(SiC, GaN, diamant…) admettent des températures de fonctionnement levées parfois incompatibles avec les composants Si classiques. •Nécessité d’étude des pertes et des disparités thermiques pour l’étude des rendements et des systèmes de refroidissement