Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών
L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt de couches minces par pulvérisation plasma à l'aide...
Ce travail est consacré à l’étude par simulation de dynamique moléculaire l’effet d’une perturbation...
L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt de couches minces par pulvérisation plasma à l'aide...
提出从微观的角度,借助计算机工具,将薄膜破坏发展的细节展现出来的分子动力学研究的思想。使得实验上难以观察的现象变得形象而便于理解。应用分子动力学理论,使用伦纳德琼斯势函数,采用预校正积分法和虚拟外力约...
材料の破壊は微視的には原子間結合の破断や組み替えであるから，クラックの進展の原子レベルでのシミュレーションがマイクロメカニクスや有限要素法等の手法とならんできわめて重要な研究手法となっている．本稿では...
薄膜結晶成長プロセスの計算機シミュレーションについての従来の研究成果をまとめるとともに，金属薄膜成長における二次元成長，三次元成長のシミュレーション，成長様式のマッピングとその解釈について述べている．...
本文利用三維分子動力法，採用多體勢能；原子嵌 入法，來模擬物理氣相層積中賤鍍的過程，主要探討 在不同的阻絕層下，銅金屬原子於金屬連結中通道上 之薄膜成長研究，而其中影響金屬薄膜的形貌之相關 物理參數，...
本論文目的是運用平行運算模擬類鑽石薄膜沉積，使用Tersoff potential多體勢能，求得原子間的相互引力。沉積在鑽石基板與矽基板下，探討不同射入動能、溫度的情況下模擬類鑽石薄膜沉積。利用20P...
隨金屬氧化半導體技術進步，尺度愈來愈小，使閘極氧化絕緣層的厚度小於2.0-nm，若製程 進入70-nm 則以氧化矽之閘極氧化層的厚度，將無法適用，所以需尋找另一種具有較高介電常 數材料。在分析此材料之...
Досліджено трибологічні властивості одного молекулярного шару рідкого сірковуглецю, спресованого дво...
[[abstract]]本論文首先探討平行處理的多執行序架構上資料排列方式與單執行序的不同之處，再衡量GPU(Graphics Processors Unit)運算能否提高效能與計算準確度是否值得信任...
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακ...
本文利用三維分子動力法，採用多體勢能;原子嵌 入法，來模擬半導體中物理氣相層積中濺鍍的過程， 主要探討微小尺度下，層積金屬原子於金屬連結中通 道上之薄膜成長研究，而其中影響金屬薄膜的形貌之 相關物理參...
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结...
L’objectif de ce travail est de déterminer expérimentalement les paramètres d’entrée des logiciels d...
L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt de couches minces par pulvérisation plasma à l'aide...
Ce travail est consacré à l’étude par simulation de dynamique moléculaire l’effet d’une perturbation...
L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt de couches minces par pulvérisation plasma à l'aide...
提出从微观的角度,借助计算机工具,将薄膜破坏发展的细节展现出来的分子动力学研究的思想。使得实验上难以观察的现象变得形象而便于理解。应用分子动力学理论,使用伦纳德琼斯势函数,采用预校正积分法和虚拟外力约...
材料の破壊は微視的には原子間結合の破断や組み替えであるから，クラックの進展の原子レベルでのシミュレーションがマイクロメカニクスや有限要素法等の手法とならんできわめて重要な研究手法となっている．本稿では...
薄膜結晶成長プロセスの計算機シミュレーションについての従来の研究成果をまとめるとともに，金属薄膜成長における二次元成長，三次元成長のシミュレーション，成長様式のマッピングとその解釈について述べている．...
本文利用三維分子動力法，採用多體勢能；原子嵌 入法，來模擬物理氣相層積中賤鍍的過程，主要探討 在不同的阻絕層下，銅金屬原子於金屬連結中通道上 之薄膜成長研究，而其中影響金屬薄膜的形貌之相關 物理參數，...
本論文目的是運用平行運算模擬類鑽石薄膜沉積，使用Tersoff potential多體勢能，求得原子間的相互引力。沉積在鑽石基板與矽基板下，探討不同射入動能、溫度的情況下模擬類鑽石薄膜沉積。利用20P...
隨金屬氧化半導體技術進步，尺度愈來愈小，使閘極氧化絕緣層的厚度小於2.0-nm，若製程 進入70-nm 則以氧化矽之閘極氧化層的厚度，將無法適用，所以需尋找另一種具有較高介電常 數材料。在分析此材料之...
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[[abstract]]本論文首先探討平行處理的多執行序架構上資料排列方式與單執行序的不同之處，再衡量GPU(Graphics Processors Unit)運算能否提高效能與計算準確度是否值得信任...
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本文利用三維分子動力法，採用多體勢能;原子嵌 入法，來模擬半導體中物理氣相層積中濺鍍的過程， 主要探討微小尺度下，層積金屬原子於金屬連結中通 道上之薄膜成長研究，而其中影響金屬薄膜的形貌之 相關物理參...
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结...
L’objectif de ce travail est de déterminer expérimentalement les paramètres d’entrée des logiciels d...
L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt de couches minces par pulvérisation plasma à l'aide...
Ce travail est consacré à l’étude par simulation de dynamique moléculaire l’effet d’une perturbation...
L'objectif de cette thèse est d'étudier le dépôt de couches minces par pulvérisation plasma à l'aide...
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