Neue Schichtarchitekturen Fe-basierter Supraleiter: Epitaktische Ba(Fe1-xNix)2As2 Düunnschichten und aufgerollte FeSe1-xTex Mikrostrukturen

Ziel dieser Arbeit war die Untersuchung des Einflusses epitaktischer Verspannung auf die Eigenschaften von dünnen Schichten eisenbasierter Supraleiter. Dafür wurden erstmalig epitaktische Schichten des Materials Ba(Fe1−xNix)2As2 mit unterschiedlichem Nickelgehalt mithilfe der gepulsten Laserdeposition hergestellt und ihre strukturellen und elektrischen Transporteigenschaften charakterisiert. Die Ergebnisse wurden mit Massivproben, sowie mit Dünnschichten des verwandten Systems Ba(Fe1−xCox)2As2 verglichen. Dabei wurde ein maximales Tc von 21,6K gemessen, was die entsprechenden Werte für Massivproben dieses Materials übersteigt. Je nach verwendetem Substrat führt die induzierte stauchende oder dehnende mechanische Verspannung zu einer Verschiebung des elektronischen Phasendiagrammes. Die Wechselwirkung mit magnetischen Fluktuationen nahe des antiferromagnetischen Phasenübergangs führt zudem in Dünnschichten zu einer starken Erhöhung des Anstieges des oberen kritischen Magnetfeldes nahe der Sprungtemperatur. Untersuchungen des magnetischen Phasendiagrammes in hohen Magnetfeldern zeigen für Ba(Fe1−xNix)2As2 ein ähnliches Verhalten wie im Co-dotierten System. Die Messungen ergaben bei niedrigen Temperaturen eine geringe Anisotropie des oberen kritischen Feldes, während die Anisotropie des Irreversibilitätsfeldes aufgrund der vorherrschenden Defektstruktur erhöht ist. Des Weiteren wurden epitaktische Dünnschichten des Supraleiters FeSe1−xTex erstmalig auf dem Halbleitersubstrat GaAs abgeschieden. Dabei wurden Sprungtemperaturen von bis zu 17,4K erreicht. Das Wachstum auf speziellen mehrlagigen GaAs-Architekturen ermöglichte zudem die Realisierung dreidimensionaler Mikroobjekte, bei denen sich die Dünnschicht aufgrund von Relaxation epitaktischer Verspannung des Substrates zu Helices aufrollt. Mechanische Defekte führten jedoch dazu, dass keine supraleitenden Eigenschaften gemessen werden konnten. In diesem Fall ist eine weitere Optimierung der Mikrostrukturierungsprozesse notwendig.In this work, we studied the influence of epitaxial strain on the properties of iron based superconducting thin films grown by pulsed laser deposition. Epitaxial films of Ba(Fe1-xNix)2As2 have been realised for the first time using different nickel doping contents. Afterwards their structural and superconducting properties have been characterised. The results were compared to bulk samples as well as to thin films of the related compound Ba(Fe1-xCox)2As2. A maximum Tc of 21,6 K was measured, which exeeds the highest reported values of bulk samples. Depending on the used substrate, the phase diagram is shifted due to the induced tensile or compressive strain in the films. Compared to bulk samples, the slope of the upper critical field is strongly enhanced near the critical temperature due to antiferromagnetic fluctuations. The magnetic phase diagram measured in high fields shows simularities with the isostructural Co-doped system. The measurements reveal a small anisotropy of the upper critical field for low temperatures, while the anisotropy of the irreversibility field is increased due to the defect structure in the film. Furthermore, epitaxial thin FeSe1-xTex films have been deposited on GaAs as a new substrate material for iron based superconducting thin films achieving a critical temperature of up to 17,4 K. The self-organised formation of threedimensional micro helices by strain relaxation was realised by the preparation of epitaxial films on customized GaAs-based multilayer achitectures. However, mechanical defects prevented the superconducting characterisation. Therefore, a further improvement of the involved processes for microstructuring is necessary