Um einen besseren Zugang zum Verständnis struktureller Eigenschaften von den ternären Verbindungen des Systems Yb–Pd–Ga zu bekommen, wurden zunächst die Ordnungs- und Unordnungsbeziehungen sowie die chemische Bindung in den Kristallstrukturen binärer Pd–Ga- bzw. Yb–Ga-Verbindungen analysiert. Im Rahmen der phasenanalytischen Untersuchungen des binären Systems Yb–Ga konnte eine neue Verbindung charakterisiert werden (Ytterbiumpentagallid). Für den galliumreichen Teil des ternären Phasendiagramms Yb–Pd–Ga wurde ein isothermer Schnitt bei 600 °C erstellt (> 50 At.-% Ga). Die Homogenitätsbereiche der untersuchten Verbindungen wurden metallographisch bzw. röntgenographisch bestimmt. Die Kristallstrukturen wurden aus Röntgen-Einkristalldat...
In dieser Arbeit wurden azidische Single-Molecule-Precursoren zur Herstellung von GaN-Halbleiternano...
Un enrichissement en électrons de valence des solutions solides à base de métaux nobles or et cuivre...
In den letzten Jahrzehnten haben Halbleiterbauelemente, deren Herstellung auf Kombinationen von Grup...
In dieser Arbeit wurde das komplexe Mischungsverhalten des quasiternären Halbleitersystems Hg 3-3k G...
Vorgestellt werden temperatur- und konzentrationsabhaengige Roentgenstrukturuntersuchungen an zwei f...
Vorgestellt werden temperatur- und konzentrationsabhaengige Roentgenstrukturuntersuchungen an zwei f...
Wärmebehandlungen und während des Kriechens untersucht. Das Projekt wurde in einer Zusammenarbeit zw...
Die Herstellung des kubischen Galliumoxidnitrids über die Reaktion von GaN und Ga2O3 bedingt die Ver...
Wärmebehandlungen und während des Kriechens untersucht. Das Projekt wurde in einer Zusammenarbeit zw...
In der vorliegenden Arbeit wird der Punktdefekthaushalt von Galliumarsenid-Einkristallen mit untersc...
In der vorliegenden Arbeit wird der Punktdefekthaushalt von Galliumarsenid-Einkristallen mit untersc...
In dieser Arbeit wird die Darstellung und Charakterisierung von Übergangsmetallkomplexen neuartiger ...
In dieser Arbeit werden Untersuchungen zur Nahordnung unterschiedlicher binärer glasbildender Legier...
Die Arbeit beschäftigt sich mit der galvanischen Legierungsabscheidung für die Systeme Cu-Pb, Ag-Pb ...
Mittels DFT-Berechnungen wurden die Geometrie und Elektronenstruktur von Thallium-, Blei- und Bismut...
In dieser Arbeit wurden azidische Single-Molecule-Precursoren zur Herstellung von GaN-Halbleiternano...
Un enrichissement en électrons de valence des solutions solides à base de métaux nobles or et cuivre...
In den letzten Jahrzehnten haben Halbleiterbauelemente, deren Herstellung auf Kombinationen von Grup...
In dieser Arbeit wurde das komplexe Mischungsverhalten des quasiternären Halbleitersystems Hg 3-3k G...
Vorgestellt werden temperatur- und konzentrationsabhaengige Roentgenstrukturuntersuchungen an zwei f...
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Wärmebehandlungen und während des Kriechens untersucht. Das Projekt wurde in einer Zusammenarbeit zw...
Die Herstellung des kubischen Galliumoxidnitrids über die Reaktion von GaN und Ga2O3 bedingt die Ver...
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In der vorliegenden Arbeit wird der Punktdefekthaushalt von Galliumarsenid-Einkristallen mit untersc...
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In dieser Arbeit wird die Darstellung und Charakterisierung von Übergangsmetallkomplexen neuartiger ...
In dieser Arbeit werden Untersuchungen zur Nahordnung unterschiedlicher binärer glasbildender Legier...
Die Arbeit beschäftigt sich mit der galvanischen Legierungsabscheidung für die Systeme Cu-Pb, Ag-Pb ...
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