Add to ORKGDie Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängiger Hall-Messungen. Betrachtet wird zunächst die Erzeugung einer n-Dotierung durch Wasserstoff-Implantation in Abhängigkeit von Implantationsparametern, - bedingungen und dem Ausheilprozess. Für Helium-bestrahltes Silizium werden die Auswirkungen der Bestrahlung auf Widerstand, Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit untersucht
Mittels thermischer Plasmen werden Hartstoffschichten auf der Basis von Silicium - SiC, Si3N4 sowie ...
Mittels thermischer Plasmen werden Hartstoffschichten auf der Basis von Silicium - SiC, Si3N4 sowie ...
Der Asymptotische Riesenast (AGB) stellt die letzte Entwicklungsphase von Sternen mittlerer Masse da...
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in...
In dieser Arbeit werden Untersuchungen zur Ionenstrahlsynthese vergrabener metallischer Schichten du...
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem Einfluss einer hyperthermischen Stickstoffionenbestrahlu...
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem Einfluss einer hyperthermischen Stickstoffionenbestrahlu...
Das Direktbonden ist ein in der Mikrosystemtechnik häufig genutztes Verfahren zum Verbinden von Sili...
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in...
Copy held by FIZ Karlsruhe; available from UB/TIB Hannover / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruh...
Die Barrierenentladung ist eine der Coronaentladung verwandte Entladungsform. Beide können ein trans...
Aufgrund des hohen Reinheitsgrads und der Kristallperfektion weist monokristallines Silizium hervorr...
Die Wasserstrahltechnik bietet eine hohe Flexibilität hinsichtlich Werkstoffen und realisierbaren Ge...
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus amorphem Silizium-Karbid, bei welch...
Es wurde eine Anlage aufgebaut, in der Proben bei 4,5°K mit hohen Elektronendosen bestrahlt werden k...
Mittels thermischer Plasmen werden Hartstoffschichten auf der Basis von Silicium - SiC, Si3N4 sowie ...
Mittels thermischer Plasmen werden Hartstoffschichten auf der Basis von Silicium - SiC, Si3N4 sowie ...
Der Asymptotische Riesenast (AGB) stellt die letzte Entwicklungsphase von Sternen mittlerer Masse da...
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in...
In dieser Arbeit werden Untersuchungen zur Ionenstrahlsynthese vergrabener metallischer Schichten du...
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem Einfluss einer hyperthermischen Stickstoffionenbestrahlu...
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem Einfluss einer hyperthermischen Stickstoffionenbestrahlu...
Das Direktbonden ist ein in der Mikrosystemtechnik häufig genutztes Verfahren zum Verbinden von Sili...
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in...
Copy held by FIZ Karlsruhe; available from UB/TIB Hannover / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruh...
Die Barrierenentladung ist eine der Coronaentladung verwandte Entladungsform. Beide können ein trans...
Aufgrund des hohen Reinheitsgrads und der Kristallperfektion weist monokristallines Silizium hervorr...
Die Wasserstrahltechnik bietet eine hohe Flexibilität hinsichtlich Werkstoffen und realisierbaren Ge...
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus amorphem Silizium-Karbid, bei welch...
Es wurde eine Anlage aufgebaut, in der Proben bei 4,5°K mit hohen Elektronendosen bestrahlt werden k...
Mittels thermischer Plasmen werden Hartstoffschichten auf der Basis von Silicium - SiC, Si3N4 sowie ...
Mittels thermischer Plasmen werden Hartstoffschichten auf der Basis von Silicium - SiC, Si3N4 sowie ...
Der Asymptotische Riesenast (AGB) stellt die letzte Entwicklungsphase von Sternen mittlerer Masse da...